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Flash-EEPROM-Speicher
Flash-EEPROM-Speicherzelle
Flash EEPROM memory according to claim 5, characterized in that said current generator means comprise a reference memory cell (MCR) identical to the memory cell (MC) to be read and having a predetermined threshold voltage.
Flash-EEPROM-Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Stromgeneratormittel eine Referenzspeicherzelle (MCR) identisch zu der zu lesenden Speicherzelle (MC) aufweist, und mit einer vorbestimmten Schwellenspannung.
512 KB Flash EEPROM memory that can be flashed by the VIC-20.
A reference cell trimming verify method for performing a program verify operation on a reference cell transistor in an array of Flash EEPROM memory cells, as claimed in Claim 1.
Referenzzellentrimmungsprüfverfahren zum Durchführen einer Programmprüfoperation an einem Referenzzellentransistor in einem Array von Flash-EEPROM-Speicherzellen nach Anspruch 1.
Method and device for analog programming of flash EEPROM memory cells with autoverify
Method of programming a flash EEPROM memory cell optimized for low power consumption and a method for erasing said cell
Verfahren zum Programmieren einer Flash-EEPROM-Speicherzelle unter Optimierung des niedrigen Leistungsverbrauchs und Verfahren zum Löschen dieser Zelle
The apparatus of claim 9, wherein the memory array is a flash EEPROM memory array, the first mode is a read mode, and the second mode is a program mode.
Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Speicherarray ein Flash EEPROM Speicherarray ist, wobei der erste Betriebszustand ein Lesezustand und der zweite Betriebszustand ein Programmierzustand ist.
Power supplies for flash EEPROM memory cells.
Spannungsversorgungen für Flash EEPROM Speicherzellen.
FLASH EEPROM MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF USING THEM
"Flash"-EEPROM-Speichersysteme und Verfahren zu deren Verwendung
A SCALABLE FLASH EEPROM MEMORY CELL, METHOD OF MANUFACTURING AND OPERATION THEREOF
SKALIERBARE FLASH EEPROM SPEICHERZELLE SOWIE IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN UND IHRE ANWENDUNG
A SCALABLE FLASH EEPROM MEMORY CELL WITH NOTCHED FLOATING GATE AND GRADED SOURCE REGION, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
SKALIERBARE FLASH-EEPROM-SPEICHERZELLE MIT GEKERBTEM FLOATING-GATE UND GRADUIERTER QUELLENREGION UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
The flash EEPROM memory cell of claim 3, wherein the modulator used to modulate the first biasing voltage during memory cell erasure is a resistor.
Flash-EEPROM-Spelcherzelle nach Anspruch 3, bei dem der zum Modulieren der ersten Vorspannung während des Speicherzellen-Löschens vorgesehene Modulator ein Widerstand ist.
The flash EEPROM memory cell of claim 2, further comprising a modulator (206) associated with the back biasing connection, wherein the modulator is used to modulate the first biasing voltage during memory cell erasure.
Fiash-EEPROM-Speicherzelle nach Anspruch 2, ferner mit einem mit der Rückvorspannungs-Verbindung verbundenen Modulator (206) zum Modulieren der ersten Vorspannung während des Speicherzellen-Löschens.
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