The necessary equipment is integrated in modern LEIS instruments.
Die für diese Vorreinigung notwendigen Geräte sind integraler Bestandteil moderner LEIS Instrumente.
LEIS has no special requirements with regard to the sample topography.
Hinsichtlich der Probentopographie stellt die Ionenstreuung keine besonderen Anforderungen.
Conducting LEIS analysis requires an ultra-high vacuum, so the samples must have sufficient vacuum compatibility.
Die Durchführung von LEIS-Analysen im Labor erfordert ein Ultrahochvakuum, so dass die Proben eine ausreichende Vakuumkompatibilität aufweisen müssen.
The LEIS spectrum of the surface of a new catalyst ("fresh") shows a clear platinum surface peak.
Das LEIS-Spektrum der Oberfläche eines neuen Katalysators ("fresh") zeigt einen deutlichen Platin-Oberflächenpeak.
In its more than 25 years specialising in plastics, LEIS has built up particular competences precisely in the fields of metal substitution and customised product development.
In mehr als 25 Jahren Kunststoff-Expertise hat LEIS besondere Kompetenzen gerade in den Bereichen Metallersatz und kundenspezifische Produktentwicklung erlangt.
In addition to the faceting phenomena the slow decrease of the rhenium LEIS signal as well as the increase of the rhenium XPS signal during heating at 920 K indicates island growth.
Neben dem Auftreten der LEED-Facettenreflexe deuten sowohl das langsame Abnehmen der Rheniumsignalintensität im LEIS-Experiment, als auch die Zunahme des Rhenium XPS-Signals nach Heizen der Filme bei 920 K auf ein ausgeprägtes Inselwachstum hin.
to learn about the surface sensitivity of LEIS in the AN regime, especially for sample surfaces with low AN efficiency.
die Oberflächensensitivität von LEIS im AN- Regime zu untersuchen, insbesondere für Oberflächen mit niedriger AN Effizienz.
Titanium dioxide films on rhenium(10-10) were synthesized by co-adsorption of titanium vapor in an oxygen atmosphere up to a thickness of 500 Å and investigated by means of LEED, LEIS, XPS and XRD.
Titandioxidfilme auf Rhenium wurden bis zu Schichtdicken von ca. 500 Å durch Koadsorption von Titandampf in einer Sauerstoffatmosphäre hergestellt und mittels LEED, LEIS, XPS und XRD untersucht.
Based on the systematic R&D activities for methodological improvement of the analytical techniques LEIS, ToF-SIMS and XPS it's now possible to apply these methods for the routine characterization of accumulators and nanomaterials.
Grundlage waren die methodischen Weiterentwicklungen der analytischen Technologien LEIS, ToF-SIMS und XPS. Auf Basis der Arbeiten des Tascon F&E Teams können diese Technologien nun routinemäßig für die Analytik von Batterie- und Nanomaterialien eingesetzt werden.
In order to calibrate the titanium flux, the growth mode of titanium on the Re(10-10) surface was determined by means of LEIS, XPS and LEED.
Der Fluss der Titanquelle wurde über die Untersuchung des Titanwachstums auf Re(10-10) im Monolagenbereich mittels LEIS, XPS und LEED geeicht.
The UHV setup Minimobis (with a base pressure of 2x10-10 mbar) for low-energy ion scattering (LEIS) is devoted to the study of surface composition, structure and dynamics of solid surfaces.
Während die Niederenergieionenstreuung (LEIS) erfolgreich zur extrem oberflächenempfindlichen Analyse von Festkörper-Zusammensetzungen verwendet wird, sind die zugrundeliegenden Ladungsaustausch-Mechanismen nur ungenügend verstanden.
Low-Energy Ion Scattering (LEIS) is a widely used tool for quantitative surface composition analysis, representing a non-destructive method for characterization of the outermost atomic layers of many different materials ranging from metals to porous insulators and even biological tissues.
Dabei erhält man für die verschiedensten Materialien zerstörungsfrei Information über die Zusammensetzung der obersten Atomlagen - von Metallen über poröse Isolatoren bis zu organischen Materialien.
In a project with a company specialised in Atomic Layer Deposition techniques, the LEIS analysis has been used in our laboratory to control the deposition process in order to grow a pin hole-free ultrathin WNxCy layer on silicon.
In einem Projekt mit einem Technologiespezialisten für Atomic Layer Deposition Prozesse, wurde die LEIS Analyse im Tascon Labor zur Kontrolle des Abscheidungsprozesses benutzt, um einen Pinhole-freien ultradünnen WNxCy Layer auf Silizium aufwachsen zu lassen.
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