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MOSFET device
Vertaling van "MOSFET device" in Duits
MOSFET-Anordnung
MOSFET-Einrichtung
MOSFET-Bauelement
MOSFET-Bauteil
The method of claim 3 further including forming a MOSFET device gate insulator with the insulation of said insulation layer (44), and forming a gate conductor with the material of said emitter structure (68).
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem überdies ein Gate-Isolator einer MOSFET-Anordnung aus der Isolation der Isolierschicht (44) gebildet wird und ein Gate-Leiter aus dem Material der Emitterstruktur (68) gebildet wird.
A vertical MOSFET device according to Claim 2 wherein the impurity concentration of said shallow subregion (4) is higher than that of said deep subregion, and the impurity concentration of said underlying layer (5) is higher than that of said first substrate layer.
Vertikale MOSFET-Anordnung nach Anspruch 2, wobei die Verunreinigungskonzentration des flachen Unterbereichs (4) höher als die des tiefen Unterbereichs ist, und die Verunreinigungskonzentration der darunterliegenden Schicht (5) höher als die der ersten Substratschicht ist.
A vertical MOSFET device according to Claim 3 wherein said diode is formed between said underlying layer (16) and said deep subregion (15).
Vertikale MOSFET-Anordnung nach Anspruch 3, wobei die Diode zwischen der darunterliegenden Schicht (16) und dem tiefen Unterbereich (15) gebildet ist.
The control circuit (100,200, 300) of claim 1, wherein the second switch (Q3) includes at least one of: a MOSFET device, a Triac device, a bipolar device, a relay, and a solenoid.
Steuerschaltung (100,200,300) nach Anspruch 1, wobei der zweite Schalter (Q3) zumindest eines der folgenden Bauelemente aufweist: eine MOSFET-Anordnung, eine Triak-Anordnung, eine Bipolaranordnung, ein Relais oder ein Solenoid.
The antenna system of any preceding claim, wherein the switching means comprises a MOSFET device.
Antennensytem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Schaltmittel einen MOS-FET umfaßt.
Circuit according to claim 16 characterized in that each of said switching devices is an identical semiconductor device, preferably a MOSFET device, most preferably an open-drain, n-channel device.
Schaltung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Schaltelement ein identisches Halbleiterbauelement, bevorzugt ein MOSFET-Bauelement und am meisten bevorzugt ein n-Kanal-Bauelement mit offenem Drain ist.
A semiconductor circuit according to claim 2 or claim 3, wherein said current generating means (12) comprises a MOSFET device of the semiconductor circuit.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 2 oder 3, bei der die Mittel (12) zur Erzeugung eines Stromes ein MOSFET Bauteil der Halbleiterschaltung umfassen.
Enhanced mobility MOSFET device and method
MOSFET-Anordnung mit erhöhter Beweglichkeit und Verfahren zur Herstellung
MOSFET device formed in epitaxial layer
In einer Epitaxialschicht ausgebildetes MOSFET-Bauteil
The trench MOSFET device of claim 1, further comprising a drain electrode disposed on a surface of the substrate (60,200) and a source electrode disposed on at least a portion of the source regions (212).
Graben-MOSFET-Vorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin mit einer auf einer Fläche des Substrats (60,200) angeordneten Drain-Elektrode und einer auf wenigstens einem Teil der Source-Bereiche (212) angeordneten Source-Elektrode.
A voltage boosting circuit according to Claim 9 wherein the MOSFET device (28) has highly doped regions of a first conductivity type connected to the potential well by highly doped regions of opposite conductivity type forming a short circuit to provide the coupling capacitor function.
Spannungsboosterschaltung nach Anspruch 9, bei welcher der MOSFET-Bauteil (28) hochdotierte Bereiche einer ersten Leitungsart aufweist, die mit der Potentialmulde durch hochdotierte Bereiche entgegengesetzter Leitungsart verbunden sind, wodurch ein Kurzschluß gebildet wird, um die Koppelkondensator-Funktion zu liefern.
A method as claimed in any preceding claim wherein the power switching device is a power MOSFET and the non-linear capacitance includes an inherent non-linear shunt junction capacitance of the power MOSFET device.
Verfahren nach einem beliebigen vorhergehenden Anspruch, wobei die Leistungsschaltvorrichtung ein Leistungs-MOSFET ist und die nichtlineare Kapazität eine nichtlineare Nebenschluß-Übergang-Eigenkapazität der Leistungs-MOSFET-Vorrichtung umfaßt.
The chip of claim 1, wherein: the power switching means (80) is a MOSFET device and said first transistor is a JFET (86) with a grounded gate and said second transistor (88) is an IGFET with a grounded source.
Chip nach Anspruch 1, bei welchem die Leistungsschalteinrichtung (80) eine MOSFET-Einrichtung ist und der erste Transistor ein JFET (86) mit einem geerdeten Gate und der zweite Transistor (88) ein IGFET mit einer geerdeten Source ist.
Synoniemen voor MOSFET device in het Engels
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