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MOSFET structure
Vertaling van "MOSFET structure" in Duits
MOSFET-Struktur
MOSFET-Aufbau
A method of forming a MOSFET structure with planar surface.
Verfahren zur Herstellung einer MOSFET-Struktur mit planarem Oberfläche.
Method of making shallow well MOSFET structure
Methode zur Herstellung einer MOSFET-Struktur mit flacher Wanne
The FET structure (5, 6, 7, 8, 9, 10) is preferably a MOSFET structure.
Die FET-Struktur (5, 6, 7, 8, 9, 10) ist vorzugsweise eine MOSFET-Struktur.
METHOD FOR FORMING A STRAINED SI-CHANNEL IN A MOSFET STRUCTURE
VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES VERSPANNTEN SI-KANALS IN EINER MOSFET-STRUKTUR
LOW-GIDL MOSFET STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATION
MOSFET-STRUKTUR MIT NIEDRIGEM GIDL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
MOSFET STRUCTURE HAVING REDUCED GATE CAPACITANCE AND METHOD OF FORMING SAME.
MOSFET-STRUKTUR MIT VERMINDERTER STEUERELEKTRODENKAPAZITÄT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN.
Method of fabricating a vertical power MOSFET structure.
Verfahren zur Herstellung einer vertikalen Leistungs-MOSFET-Struktur.
The MOSFET structure of claim 1, 2, 3, or 4 wherein said upper portion (144) overhangs said insulation layer (100) of said second thickness.
MOSFET-Aufbau nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, wobei der obere Abschnitt (144) über die Isolierschicht (100) der zweiten Dicke vorspringt.
The MOSFET structure of claim 1 or 2 wherein said upper portion (144,160, 162) is connected to said source region through an AC short circuit.
MOSFET-Aufbau nach Anspruch 1 oder 2, wobei der obere Abschnitt (144,160, 162) mit dem Source-Bereich durch einen Wechselstromkurzschluß verbunden ist.
A parasitic diode formed on the MOSFET structure. During inverter operation current flows through this diode, reducing VF - requiring fast recovery characteristics.
Da für den Wechselrichterbetrieb Strom durch diese Diode fließt, benötigt sie eine niedrige Durchlassspannung (VF) und eine schnelle Erholfähigkeit.
A high voltage MOSFET structure with field plate electrode and process for its fabrication
Hochspannungs-MOSFET mit Feldplatten-Elektrode und Verfahren zur Herstellung
The major technological advantage that SiC has over silicon is its high switching frequencies and the low switching losses, which is allowed by the MOSFET structure.
Der große technologische Vorteil im Vergleich zu Silizium ergibt sich aus den hohen Schaltgeschwindigkeiten und den niedrigen Schaltverlusten, die die MOSFET-Struktur ermöglicht.
Synoniemen voor MOSFET structure in het Engels
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