A semiconductor integrated circuit device as claimed in claim 1, characterized in that the semiconductor integrated circuit device is a master slice type integrated circuit device.
Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltung eine Halbleiterschaltung ist, deren endgültige Funktion vom Benutzer bestimmt wird (Master-Slice Typ).
Master slice type integrated circuit device and manufacturing method thereof.
Integriertes Schaltkreis-Bauelement vom Typ "Master Slice" und dessen Herstellungsverfahren.
Master slice integrated circuit power supply system.
Stromversorgungssystem für Master slice integrierte Schaltung.
Master slice type integrated circuit.
Master slice type integrated circuit.
Master slice type integrated circuit.
Master slice semiconductor device.
Semiconductor device adapted for a master slice approach and method for fabricating the same.
Halbleiterbauelement geeignet für eine "master slice" Behandlung und Herstellungsverfahren.
Method of forming semiconductor integrated circuit using master slice approach.
A memory as claimed in any preceding claim, being of the master slice type.
Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device of master slice type.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 1, wherein said first and second conductive lines intersect each of said input lines (13, 14).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 1, bei der die ersten und zweiten leitenden Leitungen jede der genannten Eingangsleitungen (13, 14) kreuzen.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 11, wherein said at least one contact hole (13a, 14a) is used for connecting said gate conductive layer and at least one of said input lines.
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 11, bei der wenigstens ein Kontaktloch (13a, 14a) zum Verbinden der leitenden Gateschicht mit wenigstens einer der genannten Eingangsleitungen verwendet ist.