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P-type semiconductor substrate
Vertaling van "P-type semiconductor substrate" in Duits
P-Typ-Halbleitersubstrat
p-leitenden Halbleitersubstrat
The nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that the semiconductor substrate (30) is comprised of a P-type semiconductor substrate connected to ground potential (V ss).
Nichtflüchtige Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (30) ein P-Typ-Halbleitersubstrat, welches mit einem Massepotential (V ss) verbunden ist, umfaßt.
The nonvolatile semiconductor memory device according to claim 2, characterized in that the memory cell transistors (11) are directly provided on the P-type semiconductor substrate (30).
Nichtflüchtige Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherzellentransistoren (11) direkt auf dem P-Typ-Halbleitersubstrat (30) vorgesehen sind.
The nonvolatile semiconductor memory device according to claim 2, characterized in that the P-type semiconductor substrate (30) has an N-type well region (31) in which the P-type well region (33) is provided.
Nichtflüchtige Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das P-Typ-Halbleitersubstrat (30) einen N-Typ-Wannenbereich (31) aufweist, in dem der P-Typ-Wannenbereich (33) vorgesehen ist.
A double well structure is formed in a p-type semiconductor substrate (Psub).
Eine Doppelwallstruktur ist in einem p-Typ-Halbleitersubstrat (Psub) ausgebildet.
A method according to claim 11 or 12, characterized in that a bias voltage of a negative polarity is applied to said second semiconductor substrate (51; 61) if said first semiconductor substrate (62; 62) is a P-type semiconductor substrate.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vorspannung von negativer Polarität an das zweite Halbleitersubstrat (51; 61) angelegt wird, wenn das erste Halbleitersubstrat (52; 62) ein P-Typ Halbleitersubstrat ist.
An RF amplifier as in claims 1, 2, 3 or 4 wherein said amplifier is a monolithic integrated circuit fabricated from a P-type semiconductor substrate starting material.
Hochfrequenzverstärker nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, wobei der Verstärker ein monolithisch integrierter Schaltkreis ist, der von einem Halbleitersubstrat vom P-Typ als Ausgangsmaterial hergestellt ist.
A signal delay circuit as set forth in claim 9 wherein said N-type semiconductor substrate is an N-well disposed within a P-type semiconductor substrate.
Signalverzögerungsschaltung nach Anspruch 9,bei der das N-leitende Halbleitersubstrat eine N-Wanne ist, die in einem P-leitenden Halbleitersubstrat angeordnet ist.
An electron emission device according to claim 1, wherein said p-type semiconductor layer is formed on a p-type semiconductor substrate.
Elektronen emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die p-leitende Halbleiterschicht auf einem p-leitenden Halbleitersubstrat erzeugt ist.
The element according to claim 1, wherein the pn junction diodes of the temperature detector section (300) are formed in an n-type region embedded in a p-type semiconductor substrate.
Element nach Anspruch 1, wobei die PN-Übergang-Dioden des Temperaturerfassungsbereiches (300) in einem Bereich vom N-Typ gebildet sind, der in ein Halbleitersubstrat vom P-Typ eingebettet ist.
The ink jet head according to Claim 2 or 3 characterized by the semiconductor substrate (1) being a p-type semiconductor substrate; and a group III element being doped to at least where the metallic coating is formed on the semiconductor substrate surface.
Tintenstrahlkopf nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Halbleitersubstrat (1) ein p-leitendes Halbleitersubstrat ist und ein Element der Gruppe III zumindest bis dorthin dotiert ist, wo der Metallüberzug auf der Halbleitersubstratoberfläche gebildet ist.
Thus, a direct transition from the n-60 was created for the p-type region between the n-type region 55, which is here the first doped region 55, and the p-type semiconductor substrate region 45.
Zwischen dem n-leitenden Gebiet 55, das hier das erste Dotierungsgebiet 55 darstellt, und dem p-leitenden Halbleitersubstratgebiet 45 wurde somit ein unmittelbarer Übergang 60 vom n- zum p-leitenden Gebiet geschaffen.
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