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Programmierschaltung
Programmierschaltkreis
Programmierplatine
Programming circuit for use in nonvolatile semiconductor memory device.
Programming circuit according to claim 15, characterised in that said first and second resistive elements (R1, R2) of said regulator (20) are chosen so as to replicate said column decoding structure (M0, MN, R1BL, R2BL).
Programmierschaltung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und das zweite Widerstandselement (R1, R2) des Reglers (20) so ausgewählt werden, dass sie die Spaltendekodierungsstruktur (MO, MN, R1BL, R2BL) replizieren.
The programming circuit of claim 1, wherein the second control signal comprises at least a portion of the first control signal.
Programmierschaltung nach Anspruch 1, wobei das zweite Steuersignal wenigstens einen Teil des ersten Steuersignals umfasst.
Semiconductor memory device having a programming circuit.
Halbleiterspeichergerät mit einer Programmierschaltung.
Programming method of anti-fuse and associated programming circuit
Programmierverfahren einer Anti-Sicherung und dazugehörige Programmierschaltung
The programming circuit of claim 1, wherein each of the current sources/sinks (610) is substantially matched to one another.
Programmierschaltung nach Anspruch 1, wobei alle der Stromquellen/senken (610) im Wesentlichen aufeinander abgestimmt sind.
A programming circuit for a programmable read only memory.
Programmierschaltung für einen programmierbaren Festwertspeicher.
The programming circuit of claim 1, wherein the plurality of first switches (608,612, 614) are divided substantially equally among the plurality of current sources/sinks (610).
Programmierschaltung nach Anspruch 1, wobei die Mehrzahl erster Schalter (608,612, 614) im Wesentlichen gleichmäßig unter der Mehrzahl von Stromquellen/senken (610) aufgeteilt sind.
The memory of Claim 20, wherein the programming circuit includes verify flags that are set when the charge levels stored on individual storage elements are verified to have reached preliminary levels, after which a rate of increase of at least one programming voltage decreases.
Speicher gemäß Anspruch 20, wobei die Programmierschaltung Prüfflags beinhaltet, die gesetzt werden, wenn die auf einzelnen Speicherelementen gespeicherten Ladungspegel geprüft sind, dass diese einen vorläufigen Pegel erreicht haben, wonach eine Steigerungsrate von zumindest einer Programmierspannung abnimmt.
A programming circuit for an array of electrically programmable non-volatile memory cells (2), characterised in that it includes at least one voltage regulator as claimed in Claim 1.
Programmierschaltung für ein Feld aus elektrisch programmierbaren, nicht-flüchtigen Speicherzellen (2), dadurch gekennzeichnet, daß sie mindestens einen Spannungsregler gemäß Anspruch 1 enthält.
The memory of any of Claims 13 to 21, wherein the programming circuit defines more than two stored values for individual ones of the storage elements (M), thereby to store more than one bit of data per storage element.
Speicher gemäß einem der Ansprüche 13 bis 21, wobei die Programmierschaltung mehr als zwei gespeicherte Werte für einzelne Speicherelemente (M) definiert, um dadurch mehr als ein Bit Daten pro Speicherelement zu speichern.
The detonator circuit of claim 6 or claim 7 wherein the programming circuit further comprises test means associated with each program stage for yielding an active program stage signal even when the fuse is intact.
Zeitgeberschaltung des Anspruchs 2 oder Anspruchs 3, in der die Programmierschaltung des Weiteren Prüfmittel umfasst, die mit jeder Programmstufe verbunden sind, damit ein aktives Programmstufensignal erzeugt wird, selbst wenn die Sicherung in Ordnung ist.
Control device according to claim 1, characterized in that the programming circuit (9) comprises a programming keyboard and a viewing screen.
Steuerungs-Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Programmier-Kreislauf (9) eine Programmier-Tastatur und einen Bildschirm umfasst.
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