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The pattern forming method
Vertaling van "The pattern forming method" in Duits
Musterbildungsverfahren
Musterbildendes Verfahren
The pattern forming method according to claim 8, wherein said ink-jet printing is of a bubble jet system.
Musterbildungsverfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Tintenstrahldrucken mit einem Blasenausstoßsystem durchgeführt wird.
The pattern forming method as claimed in claim 14, 15, or 16, wherein said light is partially coherent with a coherency in the range 0.3 to 0.7.
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 14, 15 oder 16, bei dem das Licht mit einer Kohärenz in dem Bereich von 0,3 bis 0,7 partiell kohärent ist.
The pattern forming method as claimed in claim 10, characterized in that said step of calculating the errors calculates a reference position from the measured positions and calculates the errors based on the reference position.
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt des Berechnens der Abweichungen eine Bezugsstellung der gemessenen Stellungen berechnet wird und die Abweichungen aufgrund der Bezugsstellung berechnet werden.
The pattern forming method as claimed in claim 13, wherein the light is projected at different focal positions on the photoresist layer (10) depending on a concavoconvex surface structure of said photoresist layer.
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 13, bei dem das Licht mit verschiedenen Fokuspositionen auf die Photoresistschicht (10) projiziert wird, die von einer konkavkonvexen Oberflächenstruktur der Photoresistschicht abhängen.
The pattern forming method as claimed in claim 12, characterized in that said two first main patterns (PII) are exposed independently.
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden ersten Hauptmuster (PII) unabhängig voneinander belichtet werden.
The pattern forming method as claimed in any of claims 9 to 11, characterized in that said step of forming said second layer (L2) forms said second layer which includes at least two first main patterns (PII).
Musterbildungsverfahren nach irgendeinem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt des Bildens der zweiten Schicht (L2) die zweite Schicht gebildet wird, die mindestens zwei erste Hauptmuster (PII) enthält.
The pattern forming method as claimed in claim 2, characterized in that said second substep exposes said first main pattern (PII) simultaneously as said other second alignment mark (MII-2).
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß im zweiten Unterschritt das erste Hauptmuster (PII) zeitgleich mit der anderen, zweiten Ausrichtmarkierung (MII-2) belichtet wird.
The pattern forming method as claimed in claim 1, characterized in that said step of forming the second layer (L2) forms said second layer which includes n second alignment marks (MII-1, MII-2, ..., MII-n).
Musterbildungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt des Bildens der zweiten Schicht (L2) die zweite Schicht gebildet wird, die mindestens n zweite Ausrichtmarkierungen (MII-1, MII-2, ..., MII-n) umfaßt.
The pattern forming method according to claim 1, wherein the etching makes a trench at the desired region of the semiconductor substrate.
Musterbildendes Verfahren nach Anspruch 1, wobei im gewünschten Bereich des Halbleiterträgers durch das Ätzen eine Vertiefung entsteht.
The pattern forming method according to claim 9, wherein said metal film is formed by chemical vapor deposition using an alkylaluminum hydride.
Musterbildendes Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Metallfilm durch chemische Dampfabscheidung unter Verwendung eines Alkylaluminiumhydrids gebildet wird.
The pattern forming method according to claim 9, wherein said metal film is removed after completing etching of the desired region of said thin film.
Musterbildendes Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Metallfilm nach vervollständigung des Ätzens des gewünschten Bereiches des Dünnfilms entfernt wird.
The pattern forming method according to claim 1 or 2, wherein said metal film is formed by chemical vapor deposition carried out using an organometallic compound as a raw material.
Musterbildendes Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Metallfilm durch chemische Dampfabscheidung gebildet wird, die unter Verwendung einer organometallischen Verbindung als Rohmaterial durchgeführt wird.
The pattern forming method according to claim 9, wherein said light-screening thin film comprises a plurality of films, the uppermost film of said films being mainly composed of silicon.
Musterbildendes Verfahren nach Anspruch 9, wobei der lichtabschirmende Dünnfilm eine Vielzahl von Filmen umfasst, wobei der oberste Film der Filme hauptsächlich aus Silizium besteht.
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