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a DRAM memory cell
Vertaling van "a DRAM memory cell" in Duits
einer DRAM-Speicherzelle
The invention relates to a novel method for production of a memory capacitor, embodied as a trench or laminar condenser and is used, in particular, in a DRAM memory cell.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein neuartiges Verfahren zur Herstellung eines Speicherkondensators, welcher als Graben- oder Stapelkondensator ausgeführt ist und insbesondere in einer DRAM-Speicherzelle verwendet wird.
However, this charge is retained only a relatively short time in a DRAM memory cell, and therefore regularly, for example, approximately every 64 ms, a so-called "refresh" must be performed, wherein the information content is written again into the memory cell.
Diese Ladung bleibt in einer DRAM-Speicherzelle jedoch nur verhältnismäßig kurze Zeit erhalten, weshalb regelmäßig, zB ca. alle 64 ms, ein sogenannter "Refresh" durchgeführt werden muss, wobei der Informationsinhalt erneut in die Speicherzelle geschrieben wird.
The invention relates to a vertical transistor (1) such as is used in a DRAM memory cell.
Die vorliegende Erfindung betrifft einen vertikalen Transistor (1), der beispielsweise in einer DRAM-Speicherzelle verwendet wird.
Method according to one of Patent Claims 1 to 10, characterized in that the method is used to form a contact from a trench capacitor (160) to a selection transistor (110) in a DRAM memory cell.
Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass es zur Ausbildung eines Kontaktes von einem Grabenkondensator (160) zu einem Auswahltransistor (110) in einer DRAM-Speicherzelle verwendet wird.
In a DRAM memory cell, one bit is stored by the charge of the capacitor.
In einer DRAM Speicherzelle wird ein Bit durch die Ladung des Kondensators gespeichert.
A DRAM memory cell consists of one transistor and one capacitor (1T1C), the actual storage element.
Eine DRAM Speicherzelle besteht aus einem Transistor und einem Kondensator (1T1C), der das eigentliche Speicherelement ist.
READ-WRITE AMPLIFIER FOR A DRAM MEMORY CELL AND DRAM MEMORY
SCHREIB-LESEVERSTÄRKER FÜR EINE DRAM-SPEICHERZELLE SOWIE DRAM-SPEICHER
An FeRAM memory cell is a modification of a DRAM memory cell in which the capacitor dielectric used is a ferroelectric layer.
Eine FeRAM-Speicherzelle ist eine Modifikation einer DRAM-Speicherzelle, bei der als Kondensator-Dielektrikum eine ferroelektrische Schicht verwendet wird.
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