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a MOS structure
Vertaling van "a MOS structure" in Duits
eine MOS-Struktur
Method of manufacturing a gate electrode for a MOS structure
Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode für eine MOS-Struktur
An electronic volume device according to claim 1, wherein the volume control circuit (5) is constituted by a monolithic large scale integration of a MOS structure.
Elektronische Tonsignalpegel-Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Tonsignalpegelregelungsschaltung (5) durch eine monolithische Großintegration mit einer MOS-Struktur gebildet wird.
A detector according to one of the claims 1 to 12, characterized in that it is designed as a two-faced strip detector, with the voltage supply to the strips of the first conductivity occurs high-resistively via a MOS structure and an adjacent area of the first conductivity.
Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 12 dadurch gekennzeichnet , daß er als doppelseitiger Streifendetektor ausgeführt ist, wobei die Spannungszuführung zu den Streifen der ersten Leitfähigkeit hochohmig über eine MOS-Struktur und ein daneben liegendes Gebiet der ersten Leitfähigkeit erfolgt.
A thin highly-doped layer of a second conductivity type is arranged on a lightly-doped semiconductor substrate of a first conductivity type. The layer of the second conductivity type is formed as an inversion layer, which is preferably formed by applying a MOS structure.
Die Erfindung betrifft ein Strahl-Eintrittsfenster für einen Strahlungsdetektor mit einem Halbleitergrundkörper niedriger Dotierung von einem ersten Leitungstyp, auf dessen mindestens einer Oberfläche mindestens eine dünne hochdotierte Schicht von einem dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten zweiten Leitungstyp angeordnet ist, wobei die Schicht des zweiten Leitungstyps als Inversionsschicht ausgebildet ist.
A level shift circuit according to claim 1, characterized in that said P- and N-channel transistors (M3, M4) constituting said inverter means are of a MOS structure to allow achievement of a high-speed processing and an improved output current capability.
Pegelverschiebeschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die P- und N-Kanal-Transistoren (M3, M4), die die Invertereinrichtung bilden, eine MOS-Struktur aufweisen, um die Erzielung einer Hochgeschwindigkeitsverarbeitung und einer verbesserten Ausgangsstrommöglichkeit zu ermöglichen.
Synoniemen voor a MOS structure in het Engels
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Resultaten: 5. Exact: 5. Verstreken tijd: 58 ms.
