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a diffusion barrier layer
Vertaling van "a diffusion barrier layer" in Duits
DIFFUSIONSSPERRSCHICHT
Diffusionsbarriereschicht
einer Diffusionsbarrierenschicht
eine Diffusionsbarrierenschicht
MICROMECHANICAL SUBSTRATE FOR A DIAPHRAGM WITH A DIFFUSION BARRIER LAYER
MIKROMECHANISCHES SUBSTRAT FÜR MEMBRAN MIT DIFFUSIONSSPERRSCHICHT
The process of any of the preceding claims further comprising forming a diffusion barrier layer over the first device region before the at least three layers of material are formed thereover.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner umfassend das Herstellen einer Diffusionsbarriereschicht auf dem ersten Bauteilbereich bevor die mindestens drei Materialschichten darauf hergestellt werden.
Dial according to any one of the preceding claims, characterized in that a binder layer and/or a diffusion barrier layer is inserted between the first electrode and the p layer.
Zifferblatt nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die erste Elektrode und die p-Schicht eine Haftschicht und/oder eine Diffusionssperre eingefügt ist.
Ni-base superalloy having a coating system containing a diffusion barrier layer
Superlegierung auf Nickelbasis, die ein Diffusionsbarriereschicht enthaltendes Beschichtungssystem aufweißt
An integrated circuit according to claim 6, wherein the at least one intermediate layer is a diffusion barrier layer.
Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 6, wobei die mindestens eine Zwischenschicht eine Ätzstopp-Schicht ist.
Layered structure with a material layer and a diffusion barrier layer disposed at the grain boundary of the material layer and process for fabricating the same
Schichtanordnung mit einer Materialschicht und einer im Bereich der Korngrenzen der Materialschicht angeordneten Diffusionsbarrierenschicht, und Verfahren zur Herstellung derselben
The method of claim 4 further including the step of: p) depositing a diffusion barrier layer onto the said base structure prior to step a).
Verfahren nach Anspruch 4, das des weiteren den Schritt beinhaltet: p) Aufbringen einer Diffusionsbarrierenschicht auf die Basisstruktur vor Schritt a).
The surface acoustic wave element as claimed in claim 2, wherein: a diffusion barrier layer which suppresses diffusion of atoms constituting the external connection terminal to the thin film electrode is disposed between the thin film electrode(18) and the raised electrode(20).
Akustisches Oberflächenelement nach Anspruch 2, worin eine Diffusionsbarrierenschicht, die die Diffusion von Atomen unterdrückt, die den externen Verbindungsanschluss zu der Dünnfilmelektrode bilden, zwischen der Dünnfilmelektrode (18) und der erhöhten Elektrode (20) angeordnet ist.
An article according to claim 24 further comprising a conductive layer (18) having a diffusion barrier layer (16,20) disposed onto one side thereof between said glass adhesion layer (22) and said substrate (12).
Artikel nach Anspruch 24, weiterhin mit einer leitenden Schicht (18) mit einer Diffusionssperrschicht (16, 20), die auf einer Seite davon zwischen der Glashaftschicht (22) und dem Substrat (12) angeordnet ist.
The invention relates to a composite bearing (1) comprising at least one bismuth-containing alloy layer and a diffusion barrier layer (4) arranged on top or underneath it.
Die Erfindung betrifft ein Mehrschichtgleitlager (1) umfassend zumindest eine Bismut enthaltende Legierungsschicht und eine darüber oder darunter angeordnete Diffusionssperrschicht (4).
The coating (21) is composed of two layers (26a, 26b), for example, and isolated from the rest of the component (11) by a diffusion barrier layer (25).
Die Beschichtung (21) ist beispielsweise in zwei Lagen (26a, 26b) aufgebaut und durch Diffusionssperrschichten (25) von dem restlichen Bauteil (11) isoliert.
The process of claim 1 further comprising forming a diffusion barrier layer on the first device region between steps a) and b).
Verfahren nach Anspruch 1, zwischen Schritt a) und Schritt b) weiterhin umfassend den Schritt: Bilden einer Diffussionsbarrierenschicht auf der ersten Bauteilregion.
The method of manufacturing a semiconductor device of claim 1, wherein a step of forming a diffusion barrier layer (12) is performed prior to the step (i) of forming interconnections (13).
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt (i) des Ausbildens der Schaltverbindungen (13) ein Schritt des Ausbildens einer Diffusionssperrschicht (12) durchgeführt wird.
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