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A method of forming a layout pattern of a semiconductor integrated circuit as claimed in any preceding claim, wherein said reformed layout pattern is used for constituting a cell including some logic gates.
Ein Verfahren zum Bilden eines Layoutmusters einer integrierten Halbleiterschaltung nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem das genannte umgebildete Layoutmuster zum Bilden einer Zelle verwendet wird, die einige Logikgatter enthält.
A method of forming a layout pattern of a semiconductor integrated circuit as claimed in claim 1, wherein said logical information is indicated by a logical circuit diagram.
Ein Verfahren zum Bilden eines Layoutmusters einer integrierten Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, bei dem die genannten logischen Informationen durch ein logisches Schaltungsdiagramm angegeben werden.
A method of forming a layout pattern of a semiconductor integrated circuit as claimed in any of claims 9 to 13, wherein said method is applied to a cell generator used in a computer-aided design system.
Ein Verfahren zum Bilden eines Layoutmusters einer integrierten Halbleiterschaltung nach irgendeinem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem das genannte Verfahren auf einen Zellengenerator angewendet wird, der in einem rechnergestützten Konstruktionssystem verwendet wird.
A method of forming a layout pattern of a semiconductor integrated circuit as claimed in claim 9, wherein a constitution of the transistor in the basic cell of said required layout pattern is different from that of said existing layout pattern.
Ein Verfahren zum Bilden eines Layoutmusters einer integrierten Halbleiterschaltung nach Anspruch 9, bei dem sich eine Struktur des Transistors in der Basiszelle des genannten erforderlichen Layoutmusters von jener des genannten existierenden Layoutmusters unterscheidet.
The base integrated circuit and the extended integrated circuit of claim 1 or 2, wherein said subset of the pin elements (498) has a layout pattern forming substantially a rectangular grid.
Integrierter Basisschaltkreis und erweiterter integrierter Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Untermenge der Anschlussstiftelemente (498) ein Aufbaumuster aufweist, welches im Wesentlichen ein rechteckiges Raster ausbildet.
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