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eines Maskenmusters
ein Maskenmuster
einer Maskenstruktur
Apparatus for and method of projecting a mask pattern on a substrate.
Vorrichtung und Verfahren zur Projektion eines Maskenmusters auf ein Substrat.
Exposure process for transferring a mask pattern to a wafer.
A recording apparatus according to claim 1or 2, wherein said mask generating means (1008) is arranged to generate a mask pattern for thinning every odd or even pixel of an image in the main scan direction.
Aufzeichnungsgerät nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Maskenerzeugungseinrichtung (1008) eingerichtet ist, ein Maskenmuster zum Ausdünnen jedes ungeraden oder geraden Pixels eines Bildes in der Hauptabtastrichtung zu erzeugen.
The apparatus of claim 8, 9 10 or 11, wherein said second pattern represents a mask pattern for printing said target pattern.
Vorrichtung nach Anspruch 8, 9, 10 oder 11, wobei das zweite Muster ein Maskenmuster zum Drucken des Zielmusters darstellt.
Method for finding an illumination condition and method of transferring an image of a mask pattern
Methode zur Bestimmung einer Beleuchtungseinstellung und Methode zur Übertragung einer Maskenstruktur
The process of claim 1 in which producing said first pattern comprises projecting a mask pattern.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Erzeugung der besagten ersten Struktur das Projizieren einer Maskenstruktur umfaßt.
A method according to claim 6, wherein said forming step of said first conductive member comprises vapor-depositing a metal using a mask pattern.
Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der das erste leitende Element ausbildende Schritt Dampfabscheiden eines Materials unter Verwendung eines Maskenmusters umfasst.
Method for designing an illumination light source, method for designing a mask pattern, method for manufacturing a photomask, method for manufacturing a semiconductor device and a computer program product
Verfahren zum Entwurf einer Beleuchtungsquelle, Verfahren zum Entwurf einer Maskenstruktur, Verfahren zur Herstellung einer Photomaske, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Computerprogrammprodukt
A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including the step of exposing a mask pattern upon a semiconductor wafer by the method claimed in claim 8.
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, das den Schritt der Belichtung eines Maskenmusters auf einen Halbleiter-Wafer durch das in Patentanspruch 8 beanspruchte Verfahren umfaßt.
A lithographic projection apparatus comprising a projection station for projection a mask pattern onto a first substrate and a measuring station for measuring the position of a second substrate, characterized in that the measuring station comprises an off-axis alignment unit as claimed in any of claims 1-12.
Lithographisches Belichtungsgerät mit einer Belichtungsstation zum Projizieren eines Maskenmusters auf ein erstes Substrat und einer Meßstation zum Messen der Position eines zweiten Substrats, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßstation eine außerachsige Ausrichtungseinheit nach jedem der Ansprüche 1 bis 12 enthält.
Method as claimed in any one of claims 4 to 13, wherein determining of said second status at the plurality of stages is performed by providing different kinds of mask patterns of different resolutions and selecting a mask pattern in accordance with a status of the battery power.
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 13, bei dem die Ermittlung des zweiten Zustands bei der Vielzahl von Stufen durch Bereitstellen verschiedener Arten von Maskenmustern unterschiedlicher Auflösungen und Auswählen eines Maskenmusters entsprechend einem Zustand der Batteriespannung durchgeführt wird.
The method as claimed in one of claims 1 - 6, wherein said blurring processing is a mask operation processing of a mask pattern which has a preset weight value of 3 x 3, comprising a center point corresponding to the lattice point.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 6, bei dem die Verzerrverarbeitung eine Verarbeitung mittels Maskenbetrieb eines Maskenmusters ist, welches einen voreingestellten Wichtungswert von 3 x 3 hat und einen Mittelpunkt aufweist, der dem Gitterpunkt entspricht.
An apparatus (100) for repetitively imaging a mask pattern on a substrate, comprising an illumination unit (2) as claimed in any one of the preceding claims.
Gerät (100) zum wiederholten Abbilden eines Maskenmusters auf einem Substrat, aufweisend eine Beleuchtungseinheit (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
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