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The first lines are thus those lines which connect in a memory cell array rows of memory cells.
Die ersten Leitungen sind somit solche Leitungen, die in einem Speicherzellenfeld Zeilen von Speicherzellen anschließen.
This object is achieved with a memory cell array of the type mentioned in that at least one trench to at least one side wall in the semiconductor substrate is present, the first address line runs along the trench on the side wall.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Speicherzellenanordnung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß zumindest ein Graben mit zumindest einer Seitenwand im Halbleitersubstrat vorhanden ist, wobei die erste Adreßleitung längs des Grabens an dessen Seitenwand verläuft.
The storage of the data is carried out with about 5 V, a cell line of a memory cell array can be programmed within about 1 msec.
Das Einspeichern der Daten erfolgt etwa mit 5 V, wobei ein Zellenstrang einer Speicherzellenanordnung etwa innerhalb 1 msec programmiert werden kann.
A semiconductor memory device according to claim 6, wherein a plurality of memory cells belong to a memory cell array having first and second subarrays.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Vielzahl von Speicherzellen zu einem Speicherzellenfeld gehört, das ein erstes und ein zweites Unterfeld hat.
The invention relates to a memory circuit having a memory cell array having arranged on word lines and bit dynamic memory cells which must be refreshed to maintain the stored information.
Die Erfindung betrifft eine Speicherschaltung mit einem Speicherzellenfeld, das an Wortleitungen und Bitleitungen angeordnete dynamische Speicherzellen aufweist, die zum Aufrechterhalten der gespeicherten Information aufgefrischt werden müssen.
A semiconductor memory device including a memory cell array, a sense amplifier and a circuit according to claim 1, 2 or 3.
Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Speicherzellenanordnung, einem Leseverstärker und einer Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3.
The invention relates to a dynamic memory comprising a memory cell array (10), a test controller (12) for testing the memory cell array (10) and an oscillator (14) for controlling the refreshing of said memory cell array (10).
Die Erfindung betrifft einen dynamischen Speicher mit einem Speicherzellenfeld (10) einem Testkontroller (12) zum Testen des Speicherzellenfeldes (10) und einem Oszillator (14) zum Steuern eines Auffrischens des Speicherzellenfeldes (10).
The method of Claim 8, in which the first data is stored from the second register (170) to a first cell (e.g. M1) of a memory cell array (110) by page unit.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die ersten Daten vom zweiten Register (170) zu einer ersten Zelle (z. B. M1) einer Speicherzellenanordnung (110) durch eine Seiteneinheit gespeichert werden.
A memory cell array characterized in that the array includes a plurality of semiconductor memory cells as claimed in any preceding claim.
Speicherzellenmatrix, dadurch gekennzeichnet, daß die Matrix mehrere Halbleiterspeicherzellen gemäß einen der vorhergehenden Ansprüche enthält.
A memory cell array as defined in claim 1, wherein said active device discharges the saturation capacitance of said conducting transistor in the forward current direction to said given word line.
Speicherzellenmatrix nach Anspruch 1, wobei die aktiven Bauelemente die Sättigungskapazität des leitenden Transistors in Durchlaßrichtung auf die gegebene Wortleitung entladen.
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