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a process for etching
Vertaling van "a process for etching" in Duits
Verfahren zum Ätzen
A process for etching holes of uniform size in a substrate.
Verfahren zum Ätzen von Löchern gleicher Dimension in einem Substrat.
A process for etching via holes in an alumina layer.
Verfahren zum Ätzen von Kontaktöffnungen in einer Tonerdeschicht.
A process for etching titanium at a controllable rate.
Verfahren zum Ätzen von Titan mit steuerbarer Rate.
A process for etching a silicon dioxide coated substrate which comprises immersing the substrate in the etching solution of any preceding claim.
Verfahren zum Ätzen eines mit Siliciumdioxid beschichteten Substrats, welches das Eintauchen des Substrats in die Ätzlösung nach einem der vorhergehenden Ansprüche einschließt.
A process for etching a fully cured or substantially fully cured polyimide layer which comprises contacting said polyimide layer with an aqueous solution of a metal hydroxide, followed by contact with an acid, followed by contact with an aqueous solution of metal hydroxide.
Verfahren zum Ätzen einer voll oder im wesentlichen voll ausgehärteten Polyimidschicht, das das Benetzen der Polyimidschicht mit einer wäßrigen Lösung eines Metallhydroxids, gefolgt von einem Benetzen mit einer Säure, gefolgt von einem Benetzen mit einer wäßrigen Lösung eines Metallhydroxids umfaßt.
A process for etching a polyimide film according to claim 7, wherein the polyimide film is etched with irradiation of ultrasonic waves while being immersed in the resin etching solution.
Verfahren zum Ätzen eines Polyimidfilms nach Anspruch 7, wobei der Polyimidfilm durch Bestrahlung mit Ultraschall geätzt wird, während er in die Harz-Ätzlösung eingetaucht ist.
A process for etching via holes in an alumina layer, comprising contacting selected areas of the alumina layer with an etching bath comprising an aqueous solution of ethylenediaminetetraacetic acid at a pH above 9.
Verfahren zum Ätzen von Durchgangsöffnungen in einer Aluminiumoxidschicht, dadurch gekennzeichnet, daß man die ausgewählten Bereiche der Aluminiumoxidschicht mit einem Ätzbad aus einer wäßrigen Lösung von Ethylendiamintetraessigsäure bei einem pH über 9 in Kontakt bringt.
A process for etching a polyamic acid or partially cured polyamic acid layer comprising contacting the layer with a wet-etch composition according to any of Claims 1-7.
Verfahren zum Ätzen einer Polyamidsäure- oder einer teilweise gehärtetetn Polyamidsäureschicht, welches das Inkontaktbringen der Schicht mit einer Naßätz-Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1-7 umfaßt.
A process for etching a polyimide film which comprises etching a polyimide film, comprising a resist pattern or metal layer pattern formed on either or both sides, using a resin etching solution as defined in any one of claims 1 - 6.
Verfahren zum Ätzen eines Polyimidfilms unter Verwendung einer Harz-Ätzlösung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, welches das Ätzen eines Polyimidfilms umfasst, der auf einer oder beiden Seiten ein widerstandsfähiges Muster oder eines aus einer Metallschicht umfasst.
A process for etching a silicon dioxide coated substrate which comprises immersing the substrate in an aqueous etching solution comprised of ammonium fluoride and from 5 to 50,000 parts per million by weight of a sulfate ester of an alkylphenol polyglycidol ether or an alkyl amine glycidol adduct.
Verfahren zum Ätzen eines siliciumdioxidbeschichteten Substrats, aufweisend das Eintauchen des Substrats in eine wässrige Ätzlösung, die zusammengesetzt ist aus Ammoniumfluorid und 5 bis 50.000 Gewichtsteilen pro Million eines Sulfatesters eines Alkylphenolpolyglicidolethers oder eines Alkylaminglycidol-Addukts.
The invention also comprises a process for etching thermally poorly conducting substrates, in particular for etching plastic substrates.
Die Erfindung umfaßt auch ein Verfahren zum Ätzen schlecht wärmeleitender Substrate, insbesondere zum Ätzen von Kunststoffsubstraten.
The object is to avoid undercutting at projecting corners in a process for etching silicon anisotropically in which mutually merging structures of different size are etched out of the surface of a silicon wafer (1) using a suitable masking and a suitable etchant.
Bei einem Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium, bei dem unter Verwendung einer geeigneten Maskierung und eines geeigneten Ätzmittels aus der Oberfläche eines Silizium - Wafers (1) ineinander übergehende Strukturen unterschied- licher Größe herausgeätzt werden, sollen Unterätzungen an vorspringenden Ecken vermieden werden.
The object is to be able to achieve a precise etching stop when etching silicon wafers with a process for etching (100) silicon in which (100) silicon is anisotropically etched.
Mit einem Verfahren zum Ätzen (100)-Silizium, bei dem (100)-Sili- zium anisotrop geätzt wird, soll beim Ätzen von Silizium-Schei- ben ein exakter Ätzstopp erzielt werden können.
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