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a programmable semiconductor memory
Vertaling van "a programmable semiconductor memory" in Duits
Programmierbarer Halbleiterspeicher
A programmable semiconductor memory according to any preceding claim, further characterised in that said high melting point silicide comprises titanium silicide.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß das Silizid mit hohem Schmelzpunkt Titansilizid aufweist.
A programmable semiconductor memory according to claim 14 in which the plurality of memory cells (11) connected in series comprises 2 n memory cells, where n is an integer greater than or equal to 1.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 14, bei dem die Vielzahl von in Serie geschalteten Speicherzellen (11) 2 n Speicherzellen aufweist, wobei n eine ganze Zahl größer als, oder gleich 1 ist.
A programmable semiconductor memory as claimed in claim 3, further comprising switching means (16) connected between the coupled erase gate electrodes (26) of each circuit unit (10) and the corresponding erase line (15) to effect selective conduction control.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 3, der weiterhin Schaltmittel (16) aufweist, die zwischen den gekoppelten Löschgate-Elektroden (26) jeder Schaltungseinheit (10) und der entsprechenden Löschleitung (15) angeschlossen sind, um eine selektive Durchlaßsteuerung auszuführen.
A programmable semiconductor memory according to claim 4 or claim 5, wherein said switching means (16) comprises a switching transistor (16).
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 4 oder Anspruch 5, wobei die Schaltmittel (16) einen Schalttransistor (16) aufweisen.
A programmable semiconductor memory comprising a plurality of circuit units (10) each comprising a plurality of memory cells (11) connected in series, and a device according to any preceding claim connected thereto for reading or writing data from or to the memory cells.
Programmierbarer Halbleiterspeicher, der eine Vielzahl von Schaltungseinheiten (10) aufweist, von denen jede eine Vielzahl von in Serie geschalteten Speicherzellen (11) aufweist, und damit verbundene Vorrichtung gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, um Daten bei den Speicherzellen auszulesen oder einzuschreiben.
A programmable semiconductor memory according to claim 11, wherein: each circuit unit (10) comprises eight memory cells (11).
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 11, wobei: jede Schaltungseinheit (10) acht Speicherzellen (11) aufweist.
A programmable semiconductor memory according to claim 18, wherein: said decoding means (30, 32, 35) applies a predetermined voltage to the erase gates of the non-volatile transistors in order to erase data from said plurality of memory cells (11).
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 18, wobei: die Dekodiermittel (30, 32, 35) eine vongegebere Spannung auf die Löschgates der nichtflüchtigen Transistoren geben, um die Daten in der Vielzahl von Speicherzellen (11) zu löschen.
A programmable semiconductor memory according to either preceding claim, further characterised in that each memory cell comprises an erase gate electrode (26) for electrically erasing data stored in the cell (11).
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß jede Speicherzelle eine Löschgate-Elektrode (26) aufweist, um die in der Zelle (11) gespeicherten Daten elektrisch zu löschen.
A programmable semiconductor memory according to any preceding claim, further characterised in that a second end of each circuit unit (10) is coupled to a power source line (13) providing a predetermined potential.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß ein zweites Ende jeder Schaltungseinheit (10) mit einer Stromquellen-Leitung (13) gekoppelt ist, die eine vorgegebenes Potential liefert.
A programmable semiconductor memory according to any of claims 1, 15 or 16, further characterised in that the second voltage applied to the remaining column lines (14) is generated by a pull-up circuit (18) that pulls up an external power source voltage.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß irgendeinen der Ansprüche 1, 15 oder 16, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Spannung, die auf die verbleibenden Spaltenleitungen (14) gegeben wird, von einer Anhebungsschaltung (18) erzeugt wird, die die Spannung einer externen Stromquelle anhebt.
A programmable semiconductor memory device according to claim 1, further characterised in that said decoder means (16, 17) comprises row decoder means (16) associated with each row of circuit units (10).
Programmierbarer Halbleiterspeicherbaustein gemäß Anspruch 1, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß die Dekodierermittel (16, 17) Zeilendekodierermittel (16) aufweisen, die jeder Zeile von Schaltungseinheiten (10) zugeordnet sind.
A programmable semiconductor memory according to Claim 1, in which the transistor of each memory cell (11) has a floating gate electrode (24), a control gate electrode (25) and an erase gate electrode (26).
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 1, bei dem der Transistor jeder Speicherzelle (11) eine Floating-Gate-Elektrode (24), eine Steuergate-Elektrode (25), und eine Löschgate-Elektrode (26) hat.
A programmable semiconductor memory according to Claim 3 and any one of claims 16 to 18, wherein: the erase gate electrodes (26) of the plurality of memory cells are coupled together.
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 3 und irgendeinem der Ansprüche 16 bis 18, wobei: die Löschgate-Elektroden (26) der Vielzahl von Speicherzellen zusammengekoppelt sind.
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