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a semiconductor component comprising
Vertaling van "a semiconductor component comprising" in Duits
ein Halbleiterbauelement mit
The invention also relates to a semiconductor component comprising at least one trench capacitor on the front side of a semiconductor substrate, which can be produced using the inventive method.
Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement mit mindestens einem Grabenkondensator auf der Vorderseite eines Halbleitersubstrats beschrieben, das mit dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellt werden kann.
The invention relates to a semiconductor component comprising at least one unit that has a plurality of similar sub-units that are respectively connected to at least two contacts that have different functions and which are alternately arranged next to each other.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit zumindest einer Baueinheit, welche eine Vielzahl von gleichartigen Untereinheiten mit jeweils zumindest zwei Kontakten verschiedener Funktionen aufweist, die abwechselnd nebeneinander angeordnet sind.
Said aim is achieved by a semiconductor component comprising a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact points, and a vertically or horizontally structured carrier substrate, and a method for producing a semiconductor component.
Kompensation der thermischen Spannungen im Bauelement wird ein Halbleiterbauelement mit einer lichtemittierenden Halbleiterschicht oder einem lichtemittierenden Halbleiterelement, zwei Kontaktstellen und einem vertikal oder horizontal strukturierten Trägersubstrat, und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements entwickelt.
The invention relates to a semiconductor component comprising a drift section (2) that is configured in a semiconductor member (1) and is made of a semiconductor material having a certain type of conductivity.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer in einem Halbleiterkörper (1) ausgebildeten Driftstrecke (2) aus einem Halbleitermaterial eines Leitungstyps.
The invention relates to a semiconductor component comprising a substrate (1) and an insulation trench (10) which is provided in the substrate (1) and which is partially filled with an insulating material (5).
Die vorliegende Erfindung schafft ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat (1) und einem in dem Substrat (1) vorgesehenen Isolationsgraben (10), welcher teilweise mit einem Isolationsmaterial (5) aufgefüllt ist.
Advantageously, a semiconductor component comprising photodiodes or light-emitting diodes can be composed of nanopoints which are provided with different spectral band gaps and are deposited in a nanostructured manner.
Vorteilhaft kann ein Halbleiterbauelement mit Photodioden oder Leuchtdioden aus nanostrukturiert abgeschiedenen Nanopunkten mit unterschiedlichen spektralen Bandlücken aufgebaut sein.
The invention relates to a semiconductor component comprising a temporarily buried temporarily n-doped area (9) which is effective only during switching off from the conducting into the blocking state of the semiconductor while preventing the tail current from chopping, thus improving smoothness of the switching-off process.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem temporär vergrabenen temporär n-dotierten Bereich (9), der nur beim Abschalten vom leitenden in den sperrenden Zustand des Halbleiterbauelementes wirksam ist und ein Abreißen des Tailstromes verhindert, um so die Weichheit des Abschaltens zu verbessern.
The invention relates to a semiconductor component comprising a surface component has at least one semiconductor body (3) and a housing base body (2), on whose surface conductor strip structures (7) are formed by means of surface metallization.
Die Erfindung beschreibt ein Halbleiterbauelement mit Oberflächenmetallisierung, das mindestens einen Halbleiterkörper (3) und einen Gehäusegrundkörper (2) aufweist, auf dessen Oberfläche Leiterbahnstrukturen (7) mittels einer Oberflächenmetallisierung ausgebildet sind.
The invention relates to a semiconductor component comprising a thin-film semiconductor body (2), which is located on a support (4) that contains germanium.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem Dünnfilmhalbleiterkörper (2), der auf einem Germaniumenthaltenden Träger (4) angeordnet ist.
METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A CONDUCTOR LAYER IN THE SEMICONDUCTOR BODY AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER LEITERSCHICHT IM HALBLEITERKÖRPER UND HALBLEITERBAUELEMENT
The invention relates to a semiconductor component comprising an insulation layer, which is configured on the semiconductor substrate and in which a capacitor structure is formed (K).
Ein Halbleiterbauelement weist eine auf einem Halbleitersubstrat ausgebildete Isolationsschicht auf, in der eine Kapazitätsstruktur (K) ausgebildet ist.
The invention relates to a semiconductor component comprising a housing, a substrate board, at least one ceramic substrate which at least on its upper surface is provided with a metallization (10), and at least two switching elements.
Es wird ein Halbleiterbauelement vorgeschlagen, das ein Gehäuse, eine Trägerplatte, zumindest ein Keramiksubstrat, das zumindest an seiner Oberseite mit einer Metallisierung (10) versehen ist und zumindest zwei Schaltelemente aufweist, vorgeschlagen.
The invention relates to a semiconductor component comprising a plastic housing (41), at least one semiconductor chip (1), and a rewiring layer (8).
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Kunst-stoffgehäuse (41), mindestens einem Halbleiterchip (1) und einer Umverdrahtungslage (8).
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