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a semiconductor layer sequence
Vertaling van "a semiconductor layer sequence" in Duits
eine Halbleiterschichtenfolge
einer Halbleiterschichtenfolge
Patterning a semiconductor layer sequence towards a mikropixelierten display for example, by dry-chemical method.
Eine Strukturierung einer Halbleiterschichtenfolge hin zu einem mikropixelierten Display erfolgt beispielsweise durch trockenchemische Verfahren.
In producing a thin film semiconductor chip, a semiconductor layer sequence, which comprises a radiation-emitting active layer, first grown epitaxially on a growth substrate.
Bei der Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips wird eine Halbleiterschichtenfolge, die eine Strahlung emittierende aktive Schicht umfasst, zunächst epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen.
The semiconductor chip has a semiconductor layer sequence that comprises a first semiconductor region, a second semiconductor region and an active zone for generating radiation arranged therebetween.
Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge auf, welche einen ersten Halbleiterbereich, einen zweiten Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst.
In a method for laterally dividing a semiconductor wafer according to the invention, a growth substrate is provided on which a semiconductor layer sequence is epitaxially grown, comprising a functional semiconductor layer. erzeugt.
Bei einem Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers gemäß der Erfindung wird ein Aufwachssubstrat bereit gestellt, auf das eine Halbleiterschichtenfolge epitaktisch aufgewachsen wird, die eine funktionelle Halbleiterschicht umfasst.
The second light emitting diode chip (3) comprises a semiconductor layer sequence, which is designed to emit green light.
Der zweite Lumineszenzdiodenchip (3) enthält eine Halbleiterschichtenfolge, die zur Emission grünen Lichts ausgebildet ist.
An optoelectronic component (1) is specified, comprising a semiconductor body (2) having a semiconductor layer sequence.
Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist.
In at least one embodiment, the bar laser (1) has a semiconductor layer sequence (2) with an active zone (20).
In mindestens einer Ausführungsform weist der Steglaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) auf.
A method for producing optoelectronic components (1) is specified, in which a plurality of semiconductor bodies (2) each having a semiconductor layer sequence are provided.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen (1) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) mit jeweils einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird.
The invention further relates to a substrate and to a method for producing a semiconductor layer sequence (20) for a semiconductor component (1).
Weiterhin werden ein Substrat und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge (20) für ein Halbleiterbauelement (1) angegeben.
A display device (1) is specified, with a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation and forming a plurality of pixels (2a, 2b).
Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist und eine Mehrzahl von Bildpunkten (2a, 2b) bildet.
Subsequently a semiconductor layer sequence (9) containing an active layer (10) is grown onto that surface of the further transfer layer (7) which faces away from the further carrier substrate (8).
Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
The invention relates to a semiconductor chip, especially a light-emitting diode, having a substrate (2) on which a semiconductor layer sequence (3) with an active zone (5) is applied.
Ein Halbleiterchip, insbesondere eine Leuchtdiode, weist ein Substrat (2) auf, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (5) aufgebracht ist.
The invention relates to a carrier substrate (10) for a semiconductor layer sequence, comprising a first main surface (11) and a second main surface (12) opposite the first main surface.
Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist.
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Afbeelding van de dag
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