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a semiconductor layer sequence
Vertaling van "a semiconductor layer sequence" in Duits
eine Halbleiterschichtenfolge
einer Halbleiterschichtenfolge
In producing a thin film semiconductor chip, a semiconductor layer sequence, which comprises a radiation-emitting active layer, first grown epitaxially on a growth substrate.
Bei der Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips wird eine Halbleiterschichtenfolge, die eine Strahlung emittierende aktive Schicht umfasst, zunächst epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen.
The semiconductor chip has a semiconductor layer sequence that comprises a first semiconductor region, a second semiconductor region and an active zone for generating radiation arranged therebetween.
Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge auf, welche einen ersten Halbleiterbereich, einen zweiten Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst.
Patterning a semiconductor layer sequence towards a mikropixelierten display for example, by dry-chemical method.
Eine Strukturierung einer Halbleiterschichtenfolge hin zu einem mikropixelierten Display erfolgt beispielsweise durch trockenchemische Verfahren.
A display device (1) is specified, with a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation and forming a plurality of pixels (2a, 2b).
Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist und eine Mehrzahl von Bildpunkten (2a, 2b) bildet.
The second light emitting diode chip (3) comprises a semiconductor layer sequence, which is designed to emit green light.
Der zweite Lumineszenzdiodenchip (3) enthält eine Halbleiterschichtenfolge, die zur Emission grünen Lichts ausgebildet ist.
The invention further relates to a substrate and to a method for producing a semiconductor layer sequence (20) for a semiconductor component (1).
Weiterhin werden ein Substrat und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge (20) für ein Halbleiterbauelement (1) angegeben.
A method for singulating an assemblage (1) into a plurality of semiconductor chips (10) is specified, wherein an assemblage comprising a carrier (4), a semiconductor layer sequence (2) and a metallic layer (3) is provided.
Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, bei dem ein Verbund mit einem Träger (4), einer Halbleiterschichtenfolge (2) und einer metallischen Schicht (3) bereitgestellt wird.
In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), the latter comprises a semiconductor layer sequence (2) having at least one active layer (20).
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20).
Subsequently a semiconductor layer sequence (9) containing an active layer (10) is grown onto that surface of the further transfer layer (7) which faces away from the further carrier substrate (8).
Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
The invention relates to a semiconductor chip (1) having a semiconductor body (2) comprising a semiconductor layer sequence having an active region (25) designed to generate radiation.
Es wird ein Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25) umfasst, angegeben.
The invention relates to a semiconductor chip, especially a light-emitting diode, having a substrate (2) on which a semiconductor layer sequence (3) with an active zone (5) is applied.
Ein Halbleiterchip, insbesondere eine Leuchtdiode, weist ein Substrat (2) auf, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (5) aufgebracht ist.
A method for producing optoelectronic components (1) is specified, in which a plurality of semiconductor bodies (2) each having a semiconductor layer sequence are provided.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen (1) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) mit jeweils einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird.
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip, comprising a semiconductor layer sequence (130) having an active zone (135) for producing a light radiation and a conversion structure (120,125).
Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120,125).
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