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a semiconductor memory cell
Vertaling van "a semiconductor memory cell" in Duits
Halbleiterspeicherzelle
eine Halbleiter-Speicherzelle
A semiconductor memory cell as claimed in any preceding claim and characterized in that a substantial region of said material surrounding said insulating storage node is doped N+ or P+.
Halbleiterspeicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein beträchtlicher Bereich des Materiales, das den isolierten Speicherpunkt umgibt, N⁺ - oder P⁺ - dotiert ist.
A semiconductor memory cell in accordance with claim 2 wherein the emitter terminals of said transistors pair are connected to a fixed reference potential.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitteranschlüsse des Transistorpaares mit einem festen Referenzpotential verbunden sind.
A semiconductor memory cell as claimed in claim 1 or claim 2 and characterized in that said channel is disposed in a material formed within said trench.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanal in einem Material angeordnet ist, das innerhalb des Grabens gebildet ist.
A semiconductor memory cell in accordance with claim 6 and further including a plurality of said sensing means (14, 14') and said writing means connected to said transistor pair (18, 20) whereby multiple access ports are provided to said transistor pair.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 6 und weiterhin eine Vielzahl der Lesemittel (14, 14') und der Schreibmittel (16, 16') enthaltend, die mit dem Transistorpaar (18, 20) verbunden sind, wodurch eine Multiport-Zugriffsmöglichkeit für das Transistorpaar bereitgestellt wird.
A semiconductor memory cell as claimed in claim 1, wherein a stored information content is read out during the read-out operation depending on a size of a potential change in an output signal outputted from said output terminal (OUT).
Halbleiterspeicherzelle gemäß Anspruch 1, bei der ein gespeicherter Informationsinhalt in Abhängigkeit von der Größe eines Potentialwechsels in einem von dieser Ausgangsklemme (OUT) ausgegebenen Signal während der Ausleseoperation ausgelesen wird.
A semiconductor memory cell in accordance with claim 4 wherein each of said constant current means comprises a PNP transistor having an emitter connected to a supply voltage and a base connected to a reference voltage.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 4, wobei jedes der Konstantstrommittel einen pnp-Transistor umfaßt dessen Emitter mit einer Versorgungsspannung und dessen Basis mit einer Referenzspannung verbunden ist.
A semiconductor memory cell in accordance with claim 1 wherein said latching means (12) further includes means (I1, I2) for supplying a constant current to each of the base-collector terminals of said transistor pair.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenspeichermittel (12) desweiteren Mittel (I1, I2) zum Bereitstellen eines konstanten Stromes für jeden der Basis-Kollektoranschlüsse des Transistorpaares enthalten.
A semiconductor memory cell as claimed in claim 1 or 2, wherein said transistor is a resonant-tunneling bipolar transistor (Q RBT).
Halbleiterspeicherzelle gemäß Anspruch 1 oder 2, bei welcher der Transistor ein bipolarer Resonanztunneltransistor (Q RBT) ist.
A semiconductor memory cell according to claim 4 or 5, wherein the first field effect transistor (FET6) is a depletion type field effect transistor and the second field effect transistor (FET7) is an enhancement type field effect transistor.
Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Feldeffekttransistor (FET6) ein Feldeffekttransistor vom Verarmungstyp ist und daß der zweite Feldeffekttransistor (FET7) ein Feldeffekttransistor vom Anreicherungstyp ist.
Manufacturing method for a trench capacitor for use in a semiconductor memory cell
Herstellungsverfahren für einen Grabenkondensator für eine Halbleiter-Speicherzelle
The invention relates to a trench capacitor (160) for use in a semiconductor memory cell (100).
Die vorliegende Erfindung umfasst einen Grabenkondensator (160), zur Verwendung in einer Halbleiterspeicherzelle (100).
The invention relates to a semiconductor memory cell (1), which is formed in a substrate (2) and comprises a trench capacitor (3) and a select transistor (4).
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterspeicherzelle (1), die in einem Substrat (2) gebildet ist und einen Grabenkondensator (3) und einen Auswahltransistor (4) umfasst.
This ensures that there is minimal damage to the sensitive tunnel layer (2) and to a dielectric layer (4). As a result, it is possible to produce a semiconductor memory cell with extremely reliable charging behavior at a high integration density.
Dadurch erhält man eine minimale Beschädigung der sensitiven Tunnelschicht (2) sowie einer dielektrischen Schicht (4), weshalb eine Halbleiter-Speicherzelle mit äusserst zuverlässiger Ladungshaltung bei hoher Integrationsdichte hergestellt werden kann.
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