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und Diffusionsschicht
The result of the treatment is a nitriding layer that is composed of a compound layer and a diffusion layer.
Das Ergebnis der Behandlung ist eine Nitrierschicht, die aus Verbindungsschicht und Diffusionsschicht besteht.
The method according to Claim 17, wherein in the step of forming a brazing layer and a diffusion layer, the first metal member is soaked in a bath of the brazing material applying ultrasonic vibration to form the brazing layer material thereon and the diffusion layer.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei im Schritt des Bildens der Hartlötschicht und Diffusionsschicht das erste Metallteil in ein Hartlötmaterial-Bad unter Zuführung von Ultraschallvibration eingetaucht wird, um darauf das Hartlötschicht-Material und die Diffusionsschicht zu bilden.
Deposition on an inductor coil that includes using an isolating photoresist mask, and a diffusion layer on top of the photoresist.
Galvanisierung einer Induktionsspule unter Verwendung einer isolierenden Fotolackmaske und einer Diffusionsschicht oben auf dem Fotolack.
Basically, this is a thermochemical process where nitrogen and carbon atoms are diffused into the surface of the steel part, forming a compound layer at the surface and a diffusion layer.
Im Wesentlichen handelt es sich hierbei um einen thermochemischen Prozess, bei dem Stickstoff- und Kohlenstoffatome in die Oberfläche des Stahls diffundiert werden und eine Verbindungsschicht an der Oberfläche und eine Diffusionsschicht gebildet wird.
The method is characterised in that the component is hardened by the hardening process prior to the formation of a longitudinal profile and a diffusion layer is partially/completely removed in the region of the longitudinal profiled structure.
Das Verfahren wurde dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil vor dem Bilden eines Längsprof iles durch einen Härteprozess auf eine höhere Härte gebracht und in Bereich der Längsprofilierung eine Diffusionsschicht teilweise/vollständig entfernt ist.
A semiconductor pressure sensor claimed according to Claim 1, wherein the PN-junction area comprises the boundary surface between the silicon substrate (1) and a diffusion layer (8) provided in the silicon substrate (1).
Ein Halbleiter-Drucksensor nach Anspruch 1 beansprucht, worin der PN-Übergangsbereich die Grenzfläche zwischen dem Silikonsubstrat (1) und einer Diffusionsschicht (8), die im Silikonsubstrat (1) vorgesehen ist, umfaßt.
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