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anisotropic etching process
Vertaling van "anisotropic etching process" in Duits
anisotropen Ätzprozeß
anisotropes Ätzverfahren
anisotrope Ätzprozess
anisotropen Ätzvorgang
anisotrope Ätzvorgang
The method of processing a silicon single-crystal substrate according to claim 14, wherein the resultant structure is processed by anisotropic etching process.
Verfahren zum Bearbeiten eines Silizium-Einkristall-Substrates gemäß Anspruch 14, wobei die resultierende Struktur durch einen anisotropen Ätzprozess bearbeitet wird.
A process is disclosed which makes it possible to produce two-step or multistep structures in a substrate with the aid of a double or multiple photoresist layer combined with an anisotropic etching process.
Es wird ein Verfahren dargestellt, das es ermöglicht mit Hilfe einer Doppel- bzw. Mehrfachfotoresistschicht in Kombination mit einem anisotropen Ätzprozeß zwei- bzw. mehrstufige Strukturen in einem Substrat zu erzeugen.
A method for fabricating semiconductor devices according to claim 1 or 2, wherein said edge covers (16, 17 17') are patterned by an anisotropic etching process.
Ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die genannten Kantenabdeckungen (16, 17, 17') durch ein anisotropes Ätzverfahren gemustert werden.
The method of one or more of the preceding claims 12 to 14 wherein the step of forming a connecting region comprises a highly directional anisotropic etching process like reactive ion etching.
Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 14, wobei der Schritt des Bildens eines Verbindungsbereichs ein stark richtungsabhängiges anisotropes Ätzverfahren, wie das reaktive Ionenätzen, umfaßt.
In order to produce auxiliary spacers (4S) on the second spacer layer (4), a first anisotropic etching process is carried out.
Zum Erzeugen von Hilfs-Spacern (4S) aus der zweiten Spacerschicht (4) wird ein erstes anisotropes Ätzverfahren durchgeführt.
Method according to one of Claims 1 to 5, in which the production of the second Si₃N₄ spacers (41) and the second trench etching are carried out in the same anisotropic etching process.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Erzeugung der zweiten Si₃N₄-Spacer (41) und die zweite Grabenätzung in demselben anisotropen Ätzprozeß erfolgen.
A method as claimed in claim 1, wherein said template (1) is formed by a semiconductor material, and said V-grooves (3) are formed by an anisotropic etching process.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Form 1 aus einem Halbleitermaterial besteht und die V-Nuten (3) durch ein anisotropes Ätzverfahren gebildet werden.
The method of Claim 1 wherein step (e) includes an anisotropic etching process.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei Schritt (e) einen anisotropen Ätzprozeß beinhaltet.
A method according to any one of the preceding claims, characterised by providing the first layer of a thickness half that of the second layer and anisotropically etching the further layer using an anisotropic etching process which etches the second layer twice as quickly as the first layer.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die erste Schicht halb so dick wie die zweite Schicht aufgebracht wird und die weitere Schicht mit einem anisotropen Ätzverfahren anisotrop geätzt wird, bei dem die zweite Schicht doppelt so schnell wie die erste Schicht geätzt wird.
The ink jet printer head according to claim 1, wherein the slits (114) are formed from one side of a silicon single-crystal substrate (60, 72,130) by an anisotropic etching process.
Tintenstrahldruckkopf gemäß Anspruch 1,wobei die Schlitze (114) von einer Seite eines Silizium-Einkristall-Substrates (60,72,130) durch einen anisotropen Atzprozess gebildet sind.
A method according to claim 11, wherein the anisotropic etching process comprises selectively etching the lower surface of the portion of said silicon substrate which is exposed from the opening portion by using an aqueous basic solution.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei der anisotrope Ätzvorgang das selektive Ätzen der unteren Oberfläche des Abschnitts des Silikonsubstrats, der vom sich öffnenden Abschnitt freigelegt ist, durch Verwendung einer wäßrigen basischen Lösung umfaßt.
A method according to claim 10, wherein said semiconductor substrate is a silicon substrate with a (100) plane orientation, and the process of selectively etching the lower surface comprises an anisotropic etching process.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Halbleitersubstrat ein Silikonsubstrat mit einer (100)-Ebenenorientierung ist, und der Vorgang des selektiven Ätzens der unteren Oberfläche einen anisotropen Ätzvorgang umfaßt.
The method of claim 1, wherein the mounting member (31,141, 171) is made of silicon and the steps (A), (B), and (E) are performed using a photo-lithographic masking and anisotropic etching process.
Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Befestigungsbauteil (31,141, 171) aus Silizium hergestellt ist und die Schritte (A), (B) und (E) unter Verwendung eines Photolithographie-Maskierungs- und anisotropen Ätzvorgangs durchgeführt werden.
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Synoniemen voor anisotropic etching process in het Engels
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