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array of edge emitting
Vertaling van "array of edge emitting" in Duits
Anordnung von Kantenemissionslasern
The array of edge emitting lasers of claim 1, wherein said native oxide layers comprise a native oxide of an aluminum-containing semiconductor material.
Anordnung von Kantenemissionslasern nach Anspruch 1, wobei die Schichten aus nativem Oxid ein natives Oxid eines aluminiumhaltigen Halbleitermaterials umfassen.
The array of edge emitting lasers of any of claims 1 to 3, wherein said first electrode includes multiple stripe electrodes (208,214) extending along the upper surface of said plurality of semiconductor layers and each stripe electrode having a corresponding contact pad.
Anordnung von Kantenemissionslasern nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Elektrode mehrere Streifenelektroden (208,214) enthält, die sich an der Oberseite der Vielzahl von Halbleiterschichten entlang erstrecken, und jede Streifenelektrode eine entsprechende Kontaktstelle aufweist.
The array of edge emitting lasers of any of claims 1 to 6, wherein said aperture is formed of an intermixed region formed by a layer disordering process.
Anordnung von Kantenemissionslasern nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Öffnung aus einem Mischbereich ausgebildet ist, der durch einen Schicht-Fehlordnungsprozess ausgebildet wird.
The array of edge emitting lasers of any of claims 1 to 7, further comprising a second native oxide layer wherein a portion of said first electrode is on said second native oxide layer.
Anordnung von Kantenemissionslasern nach einem der Ansprüche 1 bis 7, die des Weiteren eine zweite Schicht aus nativem Oxid umfasst, wobei sich ein Teil der ersten Elektrode auf der zweiten Schicht aus nativem Oxid befindet.
The array of edge emitting lasers of any of claims 1 to 5, wherein said array comprises four edge emitting lasers (200,202, 204,208).
Anordnung von Kantenemissionslasern nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Anordnung vier Kantenemissionslaser (200,202, 204,208) umfasst.
The array of edge emitting lasers of claims 1 or 2, wherein said plurality of semiconductor layers comprises a Group III-V phosphide material.
Anordnung von Kantenemissionslasern nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Vielzahl von Halbleiterschichten ein Phosphidmaterial der Gruppen III-V umfasst.
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