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array structure as defined
Vertaling van "array structure as defined" in Duits
Halbleiterlaserfeldstruktur nach
Halbleiter-Laserreihenanordnung gemäß
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß
A semiconductor laser array structure as defined in claim 4, wherein the means for further suppressing lasing includes: an interferometric structure.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 4, bei der die Einrichtung zum zusätzlichen Unterdrücken von Lichtabstrahlung eine interferometrische Struktur umfaßt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 1, and further comprising: means for favouring operation in a selected array mode exclusively.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 1, die weiterhin eine Einrichtung aufweist, die einen ausschließlichen Betrieb in einer ausgewählten Feldmode begünstigt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 1, and further comprising: means for further suppressing lasing in the interelement regions.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 1, die zusätzliche eine Einrichtung zum Unterdrücken von Lichtabstrahlung in den Zwischenelementbereichen aufweist.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 8, wherein: the means for further suppressing lasing in the interelement regions includes a wide-waveguide interferometric structure.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 8, bei der die Einrichtung zum weiteren Unterdrücken der Laserwirkung in den Zwischenelementbereichen eine interferometrische Breit-Wellenleiter-Struktur umfaßt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 22, wherein: the interelement regions have a width in the range of approximately 1 to 5 microns.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 22, bei der die Zwischenelementbereiche eine Breite im Bereich von annähernd 1 bis 5 micron haben.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 2, wherein: the means for favouring operation in a selected array mode includes an interferometric structure favouring operation at lower-order array modes.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 2, bei der die Einrichtung zum Begünstigen eines Betriebes in einer ausgewählten Feldmode eine interferometrische Struktur aufweist, die einen Betrieb bei Feldmoden niedriger Ordnung begünstigt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 1 further having means (60) within the array structure for suppressing operation in the 180º-phase-shift array mode.
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß Anspruch 1 mit weiterhin einer Einrichtung (60) innerhalb der Reihenstruktur zum Unterdrücken eines Betriebs in der Reihen-Mode mit 180º Phasenverschiebung.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 4 wherein the structure for introducing interelement losses includes a transverse antiguiding structure that permits significant radiation loss to the substrate.
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß Anspruch 4, wobei die Struktur zum Erzeugen von Verlusten zwischen den Elementen eine transversale Antileiter-Struktur aufweist, die beträchtliche Strahlungsverluste zum Substrat bewirkt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 14, wherein: the semiconductor structural means defining the interelement regions includes at least one layer of semiconductor material of higher refractive index than the cladding layers.
Halbleiterlaserfeldstruktur nach Anspruch 14, bei der die Halbleiterstruktureinrichtung, die die Zwischenelementbereiche definiert, wenigstens eine Schicht aus Halbleitermaterial mit höherem Brechungsindex als die aneinanderliegende Schicht aufweist.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 4 wherein the structure for introducing interelement losses includes an absorbing layer (62) providing absorption loss in the interelement regions.
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß Anspruch 4, wobei die Struktur zum Erzeugen von Verlusten zwischen den Elementen eine absorbierende Schicht (62) aufweist, die für Absorptionsverluste in den Bereichen zwischen den Elementen sorgt.
A semiconductor laser array structure as defined in claim 3 wherein the means for suppressing the 180º-phase-shift array mode includes: an interelement semiconductor structure for introducing interelement losses, which inhibit operation in the 180º-phase-shift array mode.
Halbleiterlaserreihenstruktur gemäß Anspruch 3, wobei die Einrichtung zum Unterdrücken der Reihen-Mode mit 180º Phasenverschiebung folgendes aufweist: eine Halbleiterstruktur zwischen den Elementen zum Erzeugen von Verlusten zwischen den Elementen, wodurch ein Betrieb in der um 180º verschobenen Reihen-Mode unterdrückt ist.
A semiconductor laser array structure as defined in any of the previous claims, wherein: the diffraction region (14) is of a semiconductor material and the entire device is integrated into a monolithic structure.
Halbleiter-Laserreihenanordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: der Beugungsbereich (14) aus Halbleitermaterial besteht und die gesamte Vorrichtung in eine monolithische Struktur integriert ist.
A semiconductor laser array structure as defined in any of the previous claims, wherein: the first and second sets of waveguides (10, 12) are antiguides.
Halbleiter-Laserreihenanordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: die ersten und zweiten Sätze von Wellenleitern (10, 12) Antileiter sind.
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