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base doping
Grunddotierung f
Basisdotierung
The channel region (22) forms part of the first semiconductor region (2) and comprises a base doping.
Das Kanalgebiet (22) ist Teil des ersten Halbleitergebiets (2) und hat eine Grunddotierung.
A doping material diffusion is then carried out, whereby the conductivity type of the doping material is in opposition to that of the base doping of the crystalline silicon substrate.
In Folge wird eine Dotierstoffdiffusion durchgeführt wobei der Leitungstyp des Dotierstoffes entgegengesetzt zu der der Grunddotierung des kristallinen Siliziumsubstrates ist.
Doped on one side is followed by the application of a likewise very thin (approximately 10 to 50 nm), amorphous silicon layer, the doping type (n-type or p-type) opposite to the base doping (amorphous emitter layer).
Danach folgt auf einer Seite die Auftragung einer ebenfalls sehr dünnen (ca. 10 bis 50 nm), dotierten, amorphen Siliziumschicht, deren Dotierungstyp (n- oder p-Typ) der Basisdotierung entgegengesetzt ist (amorphe Emitterschicht).
The channel region (22) contains an n-conductive channel region (225) for conducting the current, said latter region having a higher level of doping than the base doping.
Das Kanalgebiet (22) enthält ein zur Stromführung bestimmtes n-leitendes Kanalleitungsgebiet (225), das eine verglichen mit der Grunddotierung höhere Dotierung hat.
It is essential that the through-conduction structure (10) directly adjoins a base region of the base doping type on the walls of the recess (4) in the semiconductor substrate (1).
Wesentlich ist, dass in dem Halbleitersubstrat (1) an den Wänden der Ausnehmung (4) die Durchleitungsstruktur (10) unmittelbar an einen Basisbereich des Basisdotierungstyps angrenzt.
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Synoniemen voor base doping in het Engels

Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
cavity: hole in a tooth caused by decay
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