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Burst-Schreibdatenwerten
The memory system of Claim 3, further comprising circuitry (106) for writing the burst write data values stored by the write buffer to the memory cell array when the current read address matches the write address stored in the write address memory circuit.
Speichersystem nach Anspruch 3, ferner umfassend einen Schaltkomplex (106) zum Schreiben der von dem Schreibpuffer gespeicherten Burst-Schreibdatenwerten auf die Speicherzellenarray, wenn die aktuelle Leseadresse mit der in der Schreibadressen-Speicherschaltung gespeicherten Schreibadresse übereinstimmt.
The memory system of Claim 1, wherein the write buffer comprises a write address memory circuit (21,22) for storing a write address associated with the burst write data values received and stored by the write buffer.
Speichersystem nach Anspruch 1, bei dem der Schreibpuffer eine Schreibadressen-Speicherschaltung (21, 22) zum Speichern einer Schreibadresse umfasst, die mit den von dem Schreibpuffer empfangenen und gespeicherten Burst-Schreibdatenwerten assoziiert ist.
The method of Claim 10, further comprising the step of writing burst write data values associated with a first write transaction to the memory cell array upon detecting a subsequent write transaction.
Verfahren nach Anspruch 10, ferner umfassend den Schritt des Schreibens von Burst-Schreibdatenwerten in Verbindung mit einer ersten Schreibtransaktion auf die Speicherzellenarray nach dem Erkennen einer nachfolgenden Schreibtransaktion.
The method of Claim 10, further comprising the step of storing a write tag address associated with the burst write data values written to the write buffer.
Verfahren nach Anspruch 10, ferner umfassend den Schritt des Speicherns einer Schreib-Tag-Adresse, die mit den auf den Schreibpuffer geschriebenen Burst-Schreibdatenwerten assoziiert sind.
The method of Claim 14, further comprising the step of writing the burst write data values to the memory cell array from the write buffer when the current read address matches the write tag address.
Verfahren nach Anspruch 14, ferner umfassend den Schritt des Schreibens der Burst-Schreibdatenwerte aus dem Schreibpuffer auf die Speicherzellenarray, wenn die aktuelle Leseadresse mit der Schreib-Tag-Adresse übereinstimmt.
The memory system of Claim 1, wherein the write buffer is further configured to write the second plurality of previously stored burst write data values to the memory cell array during an initial memory cycle of the first plurality of memory cycles.
Speichersystem nach Anspruch 1, bei dem der Schreibpuffer ferner so konfiguriert ist, dass er die zweite Mehrzahl von zuvor gespeicherten Burst-Schreibdatenwerten auf die Speicherzellenarray während eines Anfangsspeicherzyklus der ersten Mehrzahl von Speicherzyklen schreibt.
The memory system of Claim 4, further comprising circuitry (102,110, 111) for merging the burst write data values with read data values read from the memory cell array in response to the current read address.
Speichersystem nach Anspruch 4, ferner umfassend einen Schaltkomplex (102,110, 111) zum Mischen der Burst-Schreibdatenwerten mit Lesedatenwerten, die als Reaktion auf die aktuelle Leseadresse aus der Speicherzellenarray gelesen wurden.
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