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An integrated circuit gate array according to Claim 1, characterized in that the gate polysilicon contact region (23) is displaced relatively to the gate electrode defining the field effect transistor channel.
Integrierte Gate-Matrixschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gate-Polysilizium-Kontaktbereich (23) relativ zur Gateelektrode verschoben ist, die den Feldeffekttransistorkanal definiert.
An integrated circuit gate array according to Claim 4, characterized in that the diffused resistive elements (32) are comparable in width to metal interconnect lines.
Integrierte Gate-Matrixschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die diffundierten Widerstandselemente (32) in der Breite mit Metallverbindungsleitungen vergleichbar sind.
An integrated circuit gate array according to Claim 3, characterized in that the channel regions (31) contain matched resistive elements (32) diffused into the integrated circuit gate array substrate and extending in a direction parallel to the wiring channel (31).
Integrierte Gate-Matrixschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalbereiche (31) übereinstimmende Widerstandselemente (32) enthalten, die in das Substrat der integrierten Gate-Matrixschaltung eindiffundiert sind und sich in einer Richtung erstrecken, die parallel zum Verdrahtungskanal (31) verläuft.
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