Vertaling van "compositionally disordered" in Duits
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mit ungeordnetem Aufbau
The wafer of claim 17 in which the first and second compositionally disordered materials are the same.
Wafer nach Anspruch 17, wobei die ersten und zweiten Materialien mit ungeordnetem Aufbau dieselben sind.
The wafer of any of claims 16 to 18 in which the first compositionally disordered material is formed by a quantum well intermixing technique.
Wafer nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei das erste Material mit ungeordnetem Aufbau durch ein Quantenwellenvermischungsverfahren gebildet ist.
The wafer of claim 16 in which each optically active region (150) is laterally bounded by lateral regions including a second compositionally disordered material within the core layer (205).
Wafer nach Anspruch 16, wobei jeder optisch aktive Bereich (150) seitlich durch Seitenbereiche, die ein zweites Material mit ungeordnetem Aufbau innerhalb der Kernschicht (205) aufweisen, begrenzt ist.
A method of forming an optically active device as claimed in any of Claims 25 to 33, wherein the method includes forming regions of compositionally disordered material laterally bounding the active region.
Verfahren zur Bildung eines optisch aktiven Bauelements nach einem der Ansprüche 25 bis 33, das Verfahren umfassend das Bilden von Bereichen aus Material mit ungeordnetem Aufbau, die den aktiven Bereich seitlich begrenzen.
The method of claim 32 further including forming regions of compositionally disordered lasing material laterally bounding the active waveguides.
Verfahren nach Anspruch 32, ferner umfassend das Bilden von Bereichen aus von der Zusammensetzung her ungeordnetem laserndem Material, das die aktiven Wellenleiter seitlich begrenzt.
The device of claim 4 wherein there are provided second compositionally disordered regions laterally bounding the optically active region (40,40a).
Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei zweite in der Zusammensetzung ungeordnete Bereiche vorgesehen sind, welche den optisch aktiven Bereich (40, 40a) lateral begrenzen.
The device of claim 1 wherein the first optically passive region comprises a first compositionally disordered or quantum well intermixed region provided from or adjacent to the intermediate position to the second end of the device.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste optisch passive Bereich einen ersten in der Zusammensetzung ungeordnet Bereich oder einen mit einem Quantentopf gemischten Bereich umfasst, der von oder benachbart zu der Zwischenposition bis zu dem zweiten Ende der Vorrichtung vorgesehen ist.
The method of claim 35 wherein the Quantum Well Intermixing QWI technique comprises generating vacancies in the passive regions, and annealing to create regions of compositionally disordered material in the core layer having a larger band-gap than the Quantum Well QW structure.
Verfahren nach Anspruch 35, wobei die Quantenquellenvermischungs-QWI-Technik Folgendes umfasst: Erzeugen von Fehlstellen in den passiven Bereichen, und Ausheilen, um Bereiche mit von der Zusammensetzung her ungeordnetem Material in der Kernschicht zu schaffen, die eine größere Bandlücke als der Quantenquellen-QW-Aufbau aufweisen.
A semiconductor laser device as claimed in claim 14, wherein the first and second compositionally disordered materials substantially comprise Indium Gallium Arsenide (InGaAs).
Halbleiterlasergerät nach Anspruch 14, wobei die ersten und zweiten zusammensetzungsmäßig ungeordneten Werkstoffe im Wesentlichen Indium-Galliumarsenid (InGaAs) umfassen.
An optically active device as claimed in any of Claims 10 to 13, wherein the optically passive region(s) (20, 22) includes a first compositionally disordered material within the core layer.
Optisch aktives Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei der/die optisch passive/n Bereich/e (20, 22) ein erstes Material mit ungeordnetem Aufbau in der Kernschicht aufweist/aufweisen.
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Synoniemen voor compositionally disordered in het Engels