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compound semiconductor material
Vertaling van "compound semiconductor material" in Duits
Verbindungshalbleitermaterial
Verbundhalbleitermaterial
Halbleitermaterial
III-V-Verbindungshalbleitermaterial
Verbund-Halbleitermaterial
III/V-Verbindungshalbleitermaterial
The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a stack of semiconductor layers (1) consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate (2), said carrier substrate having a surface (2a) containing silicon.
Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Trägersubstrat (2) angegeben, wobei das Trägersubstrat (2) eine Oberfläche (2a) aufweist, die Silizium enthält.
The transistor of claim 1, wherein the third region is made of a compound semiconductor material having a conduction band width E bw and a bandgap width E g such that E bw -E g is substantially larger than E bw -E g of GaAs.
Transistor nach Anspruch 1, bei welchem der dritte Bereich aus Verbindungshalbleitermaterial hergestellt ist, welches eine Leitungsbandbreite E bw und eine Bandlückenbreite E g derart hat, daß E bw - E g wesentlich größer als E bw - E g von GaAs ist.
The field-effect transistor of claim 10, wherein said compound semiconductor material is GaAs.
Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 10, wobei dieses Verbindungshalbleitermaterial GaAs ist.
Remark:GaAs(Gallium arsenide) is a compound semiconductor material, a mixture of two elements, gallium (Ga) and arsenic (As).
Anmerkung: Gaas (Galliumarsenid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, eine Mischung aus zwei Elementen, Gallium (ga) und Arsen (as).
METHOD AND DEVICE FOR THE PRODUCTION OF A COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL BY MEANS OF GAS PHASE EPITAXY
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN EINES VERBINDUNGSHALBLEITERMATERIALS MITTELS GASPHASENEPITAXIE
The method of claim 1, wherein the first-layer compound semiconductor material is a ternary material, and the second-layer compound semiconductor material is a quaternary material.
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das Verbindungshalbleitermaterial der ersten Schicht ein ternäres Material ist und das Verbindungshalbleitermaterial der zweiten Schicht ein quaternäres Material ist.
An avalanche photodiode as claimed in claim 1 characterized in that said first group III-V compound semiconductor material comprises InGaAs and said second group III-V compound semiconductor material comprises InP.
Eine Lawinen-Fotodiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das genannte Verbindungshalbleitermaterial der ersten Gruppe III-V InGaAs umfaßt und das genannte Verbindungshalbleitermaterial der zweiten Gruppe III-V InP umfaßt.
Method of manufacturing low resistivity p-type compound semiconductor material
Verfahren zur Herstellung von p-Typ-Verbindungshalbleitermaterial mit niedrigem spezifischem Widerstand
Method of claim 1, wherein c) comprises forming the device in the layer of compound semiconductor material.
Verfahren nach Anspruch 1, in welchem c) das Ausbilden der Einrichtung in der Schicht aus Verbindungshalbleitermaterial umfaßt.
Method of forming a compound semiconductor material
Verfahren zur Herstellung eines Verbindunghalbleitermaterials
The semiconductor structure according to one or more of the preceding claims 1 to 3, further including at least a substrate of a compound semiconductor material (12) disposed beneath said epitaxially grown compound semiconductor layer (14).
Halbleiterstruktur nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, weiter einschließend zumindest ein Substrat eines Materials (12) aus einem Verbindungshalbleiter, das unter der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (14) des Verbindungshalbleiters angeordnet ist.
A light emitting device of gallium nitride compound semiconductor material according to claim 3 or 4, wherein said electrode for said n-layer (80) has a multi-layer structure composed of the same layers in the same order as the respective i-layer electrode (70).
Lichtemittierende Vorrichtung aus einem Halbleitermaterial aus einer Galliumnitridverbindung nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Elektrode für die n-Schicht (80) eine Multischicht-Struktur hat, die aus den gleichen Schichten in der gleichen Reihenfolge wie die entsprechende i-Elektrode (70) besteht.
The field-effect transistor of claim 1, wherein each of the first, second and third semiconductor layers includes a compound semiconductor material.
Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 1, wobei die erste, zweite und dritte Halbleiterschicht jeweils ein Verbindungshalbleitermaterial enthält.
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Synoniemen voor compound semiconductor material in het Engels
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