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ferner eine Pufferschicht
The semiconductor optical device as set forth in any one of claims 2, 3 and 4, in which said mesa structure further comprises a buffer layer provided between said substrate and said light absorbing layer.
Optische Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, bei der die Mesa-Struktur ferner eine Pufferschicht aufweist, die zwischen dem Substrat und der lichtabsorbierenden Schicht vorgesehen ist.
The method of claim 2, wherein the donor film (34) further comprises a buffer layer formed on the metal layer (35/).
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Donorschicht (34) weiterhin eine auf der Metallschicht (35) ausgebildete Pufferschicht aufweist.
A semiconductor device according to any preceding claim, wherein the substrate (1) comprises a buffer layer adjacent to the first layer (2) which has a lower carrier density than the rest of the substrate (1).
Halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat (1) eine Pufferschicht umfaßt, welche zur ersten Schicht (2) benachbart ist und welche eine niedrigere Trägerdichte als der Rest des Substrats (1) hat.
A semiconductor laser device as claimed in claim 1, which further comprises a buffer layer (2) with the same polarity as said semiconductor substrate (1), between said semiconductor substrate (1) and said active layer (3).
Halbleiterlasereinrichtung entsprechend Anspruch 1, welche ferner eine Pufferschicht (2) mit derselben Polarität wie der des Halbleitersubstrats (1) zwischen dem Halbleitersubstrat (1) und der aktiven Schicht (3) enthält.
Series of layers according to Claim 1, characterised in that the non-superconducting layer comprises a buffer layer between the high-temperature superconducting layer and the surface of a substrate.
Schichtenfolge nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht-supraleitende Schicht eine Pufferschicht zwischen der hochtemperatursupraleitenden Schicht und der Oberfläche eines Substrats bildet.
A layered structure as claimed in Claim 1, wherein the layered structure further comprises a buffer layer (2) between the substrate and the superconductor thin film.
Schichtstruktur nach Anspruch 1, wobei die Schichtstruktur ausserdem eine Pufferschicht (2) zwischen dem Substrat und der Oxidsupraleiter-Dünnschicht aufweist.
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