Control circuit for semiconductor element with control electrode.
A driving circuit for a control electrode provided in an image forming apparatus
A method as claimed in any preceding claim, wherein a determination of normality is made by comparison of an electrical parameter output of the electrode with that of a control electrode in a sensor having aqueous liquid of predetermined purity.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin eine Bestimmung des Normalzustandes durch Vergleich der Ausgabe eines elektrischen Parameters der Elektrode mit der einer Kontrollelektrode in einem Sensor mit einer wäßrigen Flüssigkeit von vorbestimmter Reinheit vorgenommen wird.
By means of a small electrical voltage applied to a control electrode, the so-called gate electrode, a single silver atom is reversibly moved in and out of a tiny junction, in this way closing and opening an electrical contact.
Durch Anlegen einer kleinen elektrischen Spannung an eine Kontrollelektrode, die sogenannte Gateelektrode, wird ein einzelnes Silberatom reversibel zu einer winzigen Kontaktstelle hin- und von dieser wegbewegt, sodass sich ein elektrischer Kontakt schließt und öffnet.
A channel in the semiconductor film through which an electrical resistance between the first and second electrodes is reduced can be controlled by varying the potential of the control electrode.
Durch Variation des Potentials der Steuerelektrode ist ein Kanal in dem Halbleiterdünnfilm ansteuerbar, durch den ein elektrischer Widerstand zwischen der ersten und zweiten Elektrode reduziert wird.
The control electrode adjoins the insulator layer on one side, and the semiconductor thin film adjoins the insulator layer on an opposite side.
Die Steuerelektrode grenzt an einer Seite an die Isolatorschicht an, und der Halbleiterdünnfilm grenzt an einer gegenüberliegenden Seite an die Isolatorschicht an.
Microswitching contact according to the preceding claim, characterised in that the surface metallisation is deposited on the contact elements, the bending beam and/or the control electrode by vapour deposition, sputtering or electrodeposition.
Mikroschaltkontakt nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenmetallisierung durch Aufdampfen, Zerstäuben oder galvanische Abscheidung auf die Kontaktelemente, den Biegebalken und/oder die Steuerelektrode aufgebracht ist.
Microswitching contact according to the preceding claim, characterised in that a control electrode is arranged on the base plate between the base plate and the bending beam.
Mikroschaltkontakt nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Bodenplatte zwischen der Bodenplatte und dem Biegebalken eine Steuerelektrode angeordnet ist.
A thin film transistor comprises a first electrode, a second electrode, a control electrode, an insulator layer and a semiconductor thin film configured on a substrate.
Ein Dünnfilmtransistor umfasst eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, eine Steuerelektrode, eine Isolatorschicht und einen Halbleiterdünnfilm, die auf einem Substrat gebildet sind.
A device according to claim 6 wherein said control electrode (10) comprises a superconductive material.
Bauelement nach Anspruch 6, bei dem die Steuerelektrode (10) ein supraleitendes Material aufweist.
The triac has a main electrode 1, a main electrode 2 and a control electrode.
Der Triac hat eine Hauptelektrode 1, eine Hauptelektrode 2 und eine Steuerelektrode.
Microswitching contact according to one of the preceding claims, characterised in that the electrically conductive diamond layers of the contact elements, of the bending beam and/or of the control electrode consist at least partly of diamond layers doped with boron, nitrogen, sulphur and/or phosphorus.
Mikroschaltkontakt nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähigen Diamantschichten der Kontaktelemente, des Biegebalkens und/oder der Steuerelektrode zumindest teilweise aus Diamantschichten bestehen, der mit Bor, Stickstoff, Schwefel und/oder Phosphor dotiert sind.
A mixer circuit arrangement in accordance with any preceding claim, in which the bias means comprises a second transistor having its control electrode dc biased and its first main electrode arranged to provide the bias signal to the second current signal input of the mixer core.
Eine Mischerschaltungsanordnung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Einrichtung zur Vorspannung einen zweiten Transistor umfasst, dessen Steuerelektrode mit einer Gleichspannung vorgespannt ist und dessen erste Hauptelektrode angeordnet ist, das Vorspannungssignal für den zweiten Stromsignaleingang des Mischerkerns zu erzeugen.