Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Registreer gratis: toegang tot meer resultaten en functies
control gate electrode
Vertaling van "control gate electrode" in Duits
Steuergate-Elektrode
Steuergatterelektrode
Semiconductor memory device having a recess-type control gate electrode and method of fabricating the semiconductor memory device
Halbleiterspeichervorrichtung mit Steuergate-Elektrode in einer Vertiefung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterspeichervorrichtung
A method for fabricating a non-volatile memory, according to claim 3: wherein said step of forming a source line is followed by a step of forming an opening in said source line in the vicinity of said control gate electrode.
Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen Speichers nach Anspruch 3, wobei dem Schritt des Ausbildens einer Sourceleitung ein Schritt zur Ausbildung einer Öffnung in der Sourceleitung in der Nähe der Steuergate-Elektrode folgt.
The semiconductor device having a gate electrode consisting of a plurality of layers according to claim 1, characterized in that the control gate electrode (31) is formed of a polysilicon layer.
Halbleitervorrichtung mit einer aus einer Mehrzahl von Schichten bestehenden Gate-Elektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuergate-Elektrode (31) aus einer Polysiliziumschicht gebildet ist.
The nonvolatile semiconductor device according to claim 1, characterized in that said control gate electrode (9a, 9b) is made from polysilicon or silicide, or made up of a stacked structure of polysilicon and silicide.
Nichtflüchtige Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuergate-Elektrode (9a, 9b) aus Polysilizium oder Silicid oder aus einer Stapelstruktur aus Polysilizium und Silicid besteht.
A programmable semiconductor memory according to Claim 1, in which the transistor of each memory cell (11) has a floating gate electrode (24), a control gate electrode (25) and an erase gate electrode (26).
Programmierbarer Halbleiterspeicher gemäß Anspruch 1, bei dem der Transistor jeder Speicherzelle (11) eine Floating-Gate-Elektrode (24), eine Steuergate-Elektrode (25), und eine Löschgate-Elektrode (26) hat.
A non-volatile semiconductor memory of claim 2, further comprising a contact layer formed over and in contact with the control gate electrode.
Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher nach Anspruch 2, der außerdem eine Kontaktschicht aufweist, die über und in Kontakt mit der Steuergatterelektrode gebildet wird.
A non-volatile memory cell according to one of the preceding claims, wherein the control gate electrode (14) completely covers the channel region.
Nichtflüchtige Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Regel- bzw. Steuergateelektrode (14) den Kanalbereich vollständig bedeckt.
A method of operating a solid state imaging device according to claim 2, wherein the potential under said control gate electrode is made shallower when said potential barrier is dividing said signal charge.
Verfahren zum Betreiben einer Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 2, bei dem das Potential unter der Steuergateelektrode flacher gemacht wird, wenn die Potentialbarriere die Signalladung aufteilt.
A nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that in said element region, the shape of said control gate electrode is the same as that of said floating-gate electrode.
Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Elementenbereich die Form der Steuergateelektrode dieselbe wie diejenige der Floating-Gateelektrode ist.
Semiconductor device circuit according to claim 1, wherein the first protection circuit (88.126) further comprises a control gate electrode formed on said first diffusion region (90,158) between said second diffusion region (92,160) and said third diffusion region (94,162).
Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschaltung (88.126) ferner eine Steuergateelektrode umfasst, die in dem ersten Diffusionsbereich (90,158) zwischen dem zweiten Diffusionsbereich (92,160) und dem dritten Diffusionsbereich (94,162) ausgebildet ist.
A non-volatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that said floating gate electrode and said control gate electrode are formed on each of opposed side walls of said groove (23a) along the direction of extension of said groove (23).
Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die freischwebende Gateelektrode und die Steuergateelektrode auf jeweils gegenüberliegenden Seitenwänden des Grabens (23a) entlang der Richtung der Ausdehnung des Grabens (23) ausgeformt sind.
A non-volatile semiconductor memory cell according to claim 7, wherein the ring-shaped floating gate electrode (9) is a side wall provided on an inner side surface of the opening of the control gate electrode (8).
Nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle nach Anspruch 7, wobei die ringförmige Floating Gate-Elektrode mit schwebendem Potential (9) eine Seitenwand ist, welche auf einer Innenseitenoberfläche der Öffnung der Regel- bzw. Steuergateelektrode (8) vorgesehen ist.
A non-volatile semiconductor memory of claim 4, wherein the contact layer (48) comprises a refractory metal layer (48) in contact with the control gate electrode (45).
Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher nach Anspruch 4, bei dem die Kontaktschicht (48) eine feuerfeste Metallschicht (48) in Kontakt mit der Steuergatterelektrode (45) aufweist.
Ga naar Premium voor toegang tot miljoenen vertaalvoorbeelden, onbeperkt woorden opslaan en leren, zonder advertenties.
Synoniemen voor control gate electrode in het Engels
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 20. Exact: 20. Verstreken tijd: 41 ms.
