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Diffusionssperrschicht
An electrophotographic sensitized body according to any one of claims 1 to 3 wherein a barrier layer (7) for preventing charge injection is provided between said diffusion blocking layer (8) and said photoconductive layer (6).
Elektrophotographisches, senibilisiertes Element nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, welches eine Sperrschicht (7) zum Verhindern einer Ladungsinjektion aufweist, die zwischen der Diffusionssperrschicht (8) und der genannten photoleitfähigen Schicht (6) vorgesehen ist.
The component of claim 1 wherein: the metallization layer includes a tantalum layer located on the substrate, a tantalum silicide first diffusion blocking layer located on the tantalum layer, and a platinum silicide second diffusion blocking layer located on the tantalum silicide layer.
Komponente gemäß Anspruch 1, bei welcher die Metallisierungsschicht enthält eine auf dem Substrat befindliche Tantalschicht, eine aus Tantalsilicid bestehende erste Diffusionssperrschicht, die sich auf der Tantalschicht befindet, und eine aus Platinsilicid bestehende zweite Diffusionssperrschicht, die sich auf der Tantalsilicidschicht befindet.
An optical recording medium according to claim 6, which further comprises a diffusion blocking layer provided between the said recording layer and the said light absorption layer.
Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 6, welches weiterhin eine diffusionsblockierende Schicht umfaßt, die zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Lichtabsorptionsschicht vorgesehen ist.
InP based VCSEL with zinc-doped tunnel-junction and diffusion blocking layer
The invention relates to a container which has a sealed, external diffusion blocking layer which covers the whole surface and which is made of a film material, and a continuous supporting plastic layer which forms the top surface.
Der Behälter hat eine angesiegelte vollflächige äußere Diffusions sperrschicht, die aus Folienmaterial besteht, und eine durchgehend die innere Oberfläche bildende, tragende Schicht aus Kunststoff.
The method of claim 20 wherein the substrate is silicon and the annealing step causes the creation of a tantalum silicide outward diffusion blocking layer located between the tantalum layer and the substrate.
Verfahren gemäß Anspruch 20, bei dem das Substrat aus Silizium besteht und der Schritt des Glühens die Erzeugung einer aus Tantalsilicid bestehenden Außendiffusionssperrschicht veranlasst, die sich zwischen der Tantalschicht und dem Substrat befindet.
A semiconductor laser device according to claim 1 or 2, characterized in that: said diffusion blocking layer (11) has a thickness of 2 ∼ 30 nm.
Eine Halbleiter-Laservorrichtung gemäß den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusions-Sperrschicht (11) 2 - 30 nm dick ist.
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Synoniemen voor diffusion blocking layer in het Engels