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Diffusion von Bor
Method of doping silicium substrates by diffusion of boron and use of this method for the manufacture of the base zones of bipolar transistors.
Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor und Anwendung dieses Verfahrens zum Herstellen von Basiszonen bipolarer Transistoren.
The above diffusion step is preferably carried out under conditions which favor the diffusion of boron so as to limit the diffusion time as much as possible.
Der obige Diffusionsschritt wird vorzugsweise unter Bedingungen ausgeführt, die die Diffusion von Bor begünstigen, um die Diffusionsdauer so weit wie möglich zu begrenzen.
A wear-resistant metal member according to any one of claims 1 to 3 wherein said layer has a surface region which is carburized, nitrided, carbonitrided, or subjected to diffusion of boron to form boride.
Verschleißbeständiges Metallteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Schicht einen Oberflächenbereich aufweist, der carburiert, nitriert, carbonitriert oder einer Diffusion von Bor zum Bilden von Borid unterzogen ist.
The process entails diffusion of boron atoms into the lattice of the parent metal and a hard interstitial boron compound is formed at the surface.
Das Verfahren beruht auf dem Einbringen von Boratomen in die Randzone eines Grundwerkstoffes, was zur Ausbildung einer harten, mit Bor angereicherten Zwischenschicht führt.
A method as claimed in Claim 1, characterized in that the semiconductor body (1) is subjected to an oxidation step during said diffusion step for promoting the diffusion of boron atoms of the back-gate region (16).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass der Halbleiterkörper (1) während des genannten Diffusionsschrittes einem Oxidationsschritt unterworfen wird, um die Diffusion von Boratomen des Backgategebietes (16) zu begünstigen.
The Nb2N phase of B/Nb2N bilayers inhibits the diffusion of boron, nitrogen and the impurities into the phase.
Die Nb2N-Phase der B/Nb2N-Bilayer behindert stark die Eindiffusion des Bors, des Stickstoffes und der Verunreinigungen.
The structure of claim 1 in which the boron-containing layer is B₃N. The structure of claim 8 FURTHER CHARACTERIZED IN THAT a barrier layer against the diffusion of boron is located on the boron-containing layer.
Aufbau nach Anspruch 1, in welcher die Bor enthaltende Schicht B₃N ist. Aufbau nach Anspruch 8, ferner dadurch gekennzeichnet, daß auf der Bor enthaltenden Schicht eine Sperrschicht gegenüber der Diffusion von Bor angeordnet ist.
The structure of claim 6 CHARACTERIZED FURTHER IN THAT a barrier layer against the diffusion of boron is located on the tensile layer (26).
Aufbau nach Anspruch 6, ferner dadurch gekennzeichnet, daß auf der dehnbaren Schicht (26) eine Sperrschicht gegen eine Diffusion von Bor angeordnet ist.
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