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distributed feedback semiconductor laser
Vertaling van "distributed feedback semiconductor laser" in Duits
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung
verteilter Rückkoppelung
Verteilungsrückkopplungs-Halbleiterlaser
The distributed feedback semiconductor laser according to claim 6, wherein the number of said stepped portions is two.
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung gemäß Anspruch 6, bei dem die Anzahl der gestuften Abschnitte zwei ist.
A distributed feedback semiconductor laser as claimed in claim 9 in which the absorptive layer (16) comprises a plurality of strips.
Ein Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 9, bei dem die Absorptionsschicht (16) eine Mehrzahl von Streifen umfaßt.
A light source apparatus comprising: a distributed feedback semiconductor laser recited in any one of claims 1 to 7; and polarization-mode selecting means for selecting light in one of the first and second polarization modes from light emitted from said semiconductor laser.
Lichtquellenvorrichtung, mit: einem Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung, der bei jedem einen von Ansprüchen 1 bis 7 angeführt ist; und mit einer Polarisationsmodus-Auswahleinrichtung zum Auswählen von Licht bei einem aus den ersten und zweiten Polarisationsmoden aus Licht, das von dem Halbleiterlaser emittiert wird.
A distributed feedback semiconductor laser according to any one of claims 1 to 6, said diffraction grating being uniformly formed commonly in said first and second regions.
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Beugungsgitter bei den ersten und zweiten Bereichen gemeinsam einheitlich gebildet wird.
A distributed feedback semiconductor laser as claimed in claim 7 wherein each corrugation of the lower-refractive-index layer (15) is of substantially triangular cross-section.
Ein Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 7, bei dem jede Riffel der Niederbrechungsindexschicht (15) von im wesentlichen dreieckigem Querschnitt ist.
A distributed feedback semiconductor laser as claimed in any one of claims 4 to 6, in which at least one of the surfaces of the lower-refractive-index layer (15) is corrugated.
Ein Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem mindestens eine der Oberflächen der Niederbrechungsindexschicht (15) geriffelt ist.
The distributed feedback semiconductor laser according to claim 4, wherein the effective thickness of said guide layer with said phase-shifting region (21) is selected to be smaller than that of said guide layer with said diffraction grating regions (22).
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 4, bei dem die effektive Dicke der Führungsschicht mit dem Phasenschiebebereich (21) so gewählt ist, daß sie kleiner ist als diejenige der Führungsschicht mit den Beugungsgitterbereichen (22).
The distributed feedback semiconductor laser according to one of the claims 1 to 6, wherein a thickness of the oscillating active layer (360) is equal to a thickness of the amplifying active layer (370).
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine Dicke der oszillierenden aktiven Schicht (360) einer Dicke der verstärkenden aktiven Schicht (370) gleich ist.
A distributed feedback semiconductor laser according to claim 3, said strained quantum well layers each being formed as a semiconductor layer other than said active layer.
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die verzerrten Potentialtopfschichten anders als die aktive Schicht jeweils als eine Halbleiterschicht gebildet sind.
A distributed feedback semiconductor laser as claimed in claim 4 wherein the absorptive layer (16), is arranged between the lower - refractive - index layer (15) and the intermediate - refractive - index layer (17).
Ein Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 4, bei dem die Absorptionsschicht (16) zwischen der Niederbrechungsindexschicht (15) und der Zwischenbrechungsindexschicht (17) angeordnet ist.
A distributed feedback semiconductor laser device according to claim 1, wherein a position of an interface between the first and second regions (I, II) of said optical guiding area is set arbitrarily.
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 1, wobei eine Schnittstellenposition zwischen den ersten und zweiten Gebieten (I, II) des optischen Leitbereichs wahlweise eingestellt wird.
The distributed feedback semiconductor laser according to claim 1, wherein said diffraction grating has a constant width (W1) over said waveguide direction.
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung gemäß Anspruch 1, bei dem das Beugungsgitter eine konstante Breite (w1) über die Wellenleiterrichtung aufweist.
A distributed feedback semiconductor laser device according to Claim 3, wherein: said diffraction grating (106,206) is formed in said lower surface in said widthwise centre portion of said optical guiding layer (107,207).
Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung nach Anspruch 3, bei dem das Beugungsgitter (106,206) an der Unterseite im mittleren Bereich in Breitenrichtung der optischen Führungsschicht (107,207) ausgebildet ist.
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