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dry etching step
Vertaling van "dry etching step" in Duits
Trockenätzschritt
The manufacturing method as set forth in claim 9, further comprising the step of forming the piezoelectric element (3, 4, 5) after the anisotropical dry etching step.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, weiterhin umfassend den Schritt des Bildens des piezoelektrischen Elementes (3, 4, 5) nach dem anisotropen Trockenätzschritt.
The method of fabricating an optical cantilever according to claim 3 or claim 4, wherein the step of forming the hole to penetrate the cantilever portion (2) is a dry etching step of a silicon substrate.
Verfahren zur Herstellung eines optischen Auslegers nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Schritt zum Bilden des Lochs, so dass es den Auslegerabschnitt (2) durchdringt, ein Trockenätzschritt eines Siliziumsubstrats ist.
The method of Claim 1 or 2, wherein said waste gas is discharged from a chemical dry etching step using a chloride and/or chlorine containing gas in a semiconductor manufacturing process.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abgas abgelassen wird aus einem chemischen Trockenätzschritt, der ein chlorid- und/oder chlorenthaltendes Gas verwendet, und zwar in einem Halbleiter-Herstellungsprozeß.
The manufacturing method of one of Claims 3 or 4, wherein the etching step is a step of executing wet etching after a dry etching step and thereby exposing the etching stopper layers.
Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, bei dem der Ätzschritt ein Schritt des Ausführens einer Nassätzung nach einem Trockenätzschritt ist und dadurch die Ätzstoppschichten freigelegt werden.
Method according to one of the preceding claims, characterized in that the dry etching step is a reactive ion etch (RIE) process step, in particular magnetic enhanced RIE (MERIE) process step.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Trockenätzschritt ein Reactive-Ion-Etch (RIE) Prozeßschritt, insbesondere ein Magnetic-Enhanced RIB (MERIE) Prozeßschritt ist.
Method of claims 1 and 2, wherein the desired cantilever beam pattern (4) is defined in said silicon dioxide layer (3) on the top side of said wafer, using a first photolithographic step and a wet or dry etching step.
Methode nach Anspruch 1 und 2, bei der das gewünschte Freiträger-Muster (4) in der genannten Siliziumdioxid-Schicht (3) auf der Oberseite des genannten Wafers unter Anwendung eines ersten photolithographischen Schrittes und eines Naß- oder Trockenätzschrittes festgelegt wird.
Method according to one of Claims 1 to 4, characterized in that the insulating trench (8) is formed using a wet and/or dry etching step and/or by sawing into the layer system.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolationsgraben (8) durch einen Naß- und/oder Trokkenätzschritt und/oder durch Ansägen des Schichtsystems gebildet wird.
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Synoniemen voor dry etching step in het Engels
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