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dynamic random access memory cell
Vertaling van "dynamic random access memory cell" in Duits
dynamische RAM-Zelle
Dynamische Direktzugriffsspeicherzelle
A dynamic random access memory cell according to anyone of the claims 1 to 6 wherein said buried insulating collar is silicon dioxide.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der vergrabene Isolierkragen aus Siliciumdioxid besteht.
A dynamic random access memory cell according to claim 5 wherein said electrode (32) is comprised of heavily doped polycrystalline silicon.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 5, bei dem die Elektrode (32) aus starkdotiertem polykristallinen Silicium besteht.
The dynamic random access memory cell of claim 1 wherein the first and third voltages are the same voltage.
Dynamische Direktzugriffsspeicherzelle nach Anspruch 1, wobei die erste und dritte Spannung den gleichen Wert haben.
The dynamic random access memory cell of claim 1 wherein the second data state which is representative of a second amount of majority carriers in the body region is substantially provided by impact ionization.
Dynamische Direktzugriffsspeicherzelle nach Anspruch 1, wobei der zweite Datenzustand, der für eine zweite Menge an Majoritätsträgern in dem Body-Bereich steht, im Wesentlichen durch Stoßionisation hergestellt wird.
The dynamic random access memory cell of claim 10 wherein the absolute value of the difference between the first voltage and the second voltage is substantially less than the absolute value of the threshold voltage of the electrically floating body transistor.
Dynamische Direktzugriffsspeicherzelle nach Anspruch 10, wobei der Absolutwert der Differenz zwischen der ersten Spannung und der zweiten Spannung wesentlich geringer ist als der Absolutwert der Schwellenspannung des Transistors mit elektrisch schwebendem Body.
A dynamic random access memory cell according to claim 1 wherein said buried insulating collar (36) is contiguous with a portion of said at least one access device (12).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1, in dem der vergrabene Isolierkragen (36) zusammenhängend mit einem Teil dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) ist.
A dynamic random access memory cell according to claim 1 or 2 further including means (38, 44, 46) for interconnecting said at least one access device (12) and said at least one storage means (14).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1 oder 2, die ferner Mittel (38, 44, 46) zum Zusammenschließen dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) und dieses mindestens einen Speichermittels (14) umfaßt.
A dynamic random access memory cell according to anyone of the claims 1 to 4 wherein said at least one storage means (14) is an electrode (32) disposed in an insulating spaced relationship with said substrate (16).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, bei der dieses mindestens eine Speichermittel (14) eine Elektrode (32) ist, die in einer isolierten, beabstandeten Beziehung zu dem Substrat (16) angeordnet ist.
The dynamic random access memory cell of claim 10 wherein the second data state is substantially provided by band-to-band tunneling of majority carriers from the source region to the body region.
Dynamische Direktzugriffsspeicherzelle nach Anspruch 10, wobei der zweite Datenzustand im Wesentlichen durch Band-zu-Band-Tunneln von Majoritätsträgern aus dem Source-Bereich in den Body-Bereich hergestellt wird.
The dynamic random access memory cell of claim 10 wherein the electrically floating body transistor is an N-channel type transistor.
Dynamische Direktzugriffsspeicherzelle nach Anspruch 10, wobei der Transistor mit elektrisch schwebendem Body ein Transistor vom N-Kanal-Typ ist.
Memory circuit according to claim 1 wherein each memory cell comprises a dynamic random access memory cell.
Speicherschaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei jede Speicherzelle eine dynamische Arbeitsspeicherzelle umfaßt.
The method of claim 10, wherein the state of the resistive element is used to determine an address for a dynamic random access memory cell, and the comparator input is precharged prior to assertion of a Row Address Strobe addressing state signal.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Zustand des Widerstandselements zur Bestimmung einer Adresse für eine dynamische Speicherzelle mit wahlfreiem Zugriff verwendet wird und der Komparatoreingang vorgeladen wird, bevor ein Addressierungszustandssignal für ein Zeilenadressen-Strobe festgestellt wird.
Dynamic random access memory cell with trench type storage capacitor.
Dynamische Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff mit Speicherkondensator vom Graben-Typ.
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