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dynamic random access memory device
Vertaling van "dynamic random access memory device" in Duits
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff
dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff
Dynamische Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff
Dynamische Halbleiterdirektzugriffsspeichervorrichtung
DRAM-Vorrichtung
Dynamische Direktzugriffspeicheranordnung
Dynamische RAM-Einrichtung
Dynamische Freizugriffsspeichervorrichtung
A dynamic random access memory device according to claim 4, characterized by further comprising a potential-boosting capacitor provided adjacent to said array of row decoders.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, ferner gekennzeichnet durch einen Potentialboostkondensator, der benachbart zu dem Feld von Zeilendecodern angeordnet ist.
A dynamic random access memory device according to any one of claims 1 to 10, characterized in that each of said dynamic random access memory cells includes one transfer transistor and one capacitor.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß jede der dynamischen Speicherzellen mit wahlfreiem Zugriff einen Transfer-Transistor und einen Kondensator umfaßt.
Layer structure of a memory cell for a dynamic random access memory device and method for producing the same.
Schichtstruktur für eine Speicherzelle für eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff und Herstellungsverfahren dafür.
A dynamic random access memory device according to claim 1, wherein each of said dynamic memory cells is provided with a stacked type storage capacitor.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, bei der jede der genannten dynamischen Speicherzellen mit einem Stapeltypspeicherkondensator versehen ist.
A dynamic random access memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor.
Dynamische Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff mit einem monokristallinen Transistor auf einer rillenartigen Kondensatorstruktur und Herstellungsverfahren dafür.
A dynamic random access memory device of claim 4, characterized in that said conductive material (115) is made of polycrystalline silicon (115) doped with an impurity of said second conductivity type.
Dynamische Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das leitfähige Material (115) aus polykristallinem Silizium (115), dotiert mit Fremdatomen vom zweiten Leitertyp, hergestellt ist.
Metal insulator semiconductor type dynamic random access memory device.
Dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff vom Metall-Isolator-Halbleiter-Typ.
A dynamic random access memory device externally functionally equivalent to a static random access memory
Dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff, die sich funktionell als eine statische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff beträgt
A dynamic random access memory device according to claim 1, wherein said bit line is extended in a zigzag manner to alternately connect said first and second groups of dynamic memory cells.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, bei der sich die genannte Bitleitung zickzackartig erstreckt, um genannte erste und zweite Gruppen von dynamischen Speicherzellen abwechselnd zu verbinden.
A dynamic random access memory device according to claim 6, wherein said storage electrode is formed after the formation of said bit line and a word line of the memory cell is formed prior to the formation of said bit line.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 6, bei der genannte Speicherelektrode nach der Bildung von genannter Bitleitung gebildet wird und eine Wortleitung der Speicherzelle vor der Bildung von genannter Bitleitung gebildet wird.
A dynamic random access memory device according to claim 12, characterized in that a plate potential is applied to the capacitors of said memory cells from a semiconductor layer of a second conductivity type provided within a semiconductor body of a first conductivity type.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein Plattenpotential an die Kondensatoren der Speicherzellen von einer Halbleiterschicht eines zweiten Gleitfähigkeitstyps, die innerhalb eines Halbleiterkörpers eines ersten Leitfähigkeitstyps vorgesehen ist, angelegt wird.
A dynamic random access memory device according to claim 5, wherein said capacitor has a tree-like multilayer structure comprising a storage electrode having fins, a dielectric film covering said electrode, and an opposite electrode covering said dielectric film.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 5, bei der genannter Kondensator eine baumartige Mehrschichtstruktur hat, die eine Speicherelektrode mit Rippen umfaßt, einen dielektrischen Film, der genannte Elektrode bedeckt, und eine gegenüberliegende Elektrode, die genannten dielektrischen Film bedeckt.
A dynamic random access memory device according to claim 1, characterized in that said boosted potential supplying circuit (12) is a boosted potential line selecting circuit.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Boostpotential-Zuführungsschaltung (12) eine Wählschaltung für eine geboostete Potentialleitung ist.
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