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elektrisch veränderbare
elektrisch steuerbaren
Method involving testing an electrically alterable microelectronic memory circuit.
Verfahren, das das Testen einer elektrisch änderbaren mikroelektronischen Speicherschaltung einschliesst.
Interferometer including stationary, electrically alterable, optical masking device.
Interferometer mit einer ortsfesten, elektrisch steuerbaren, optischen Maskenvorrichtung.
Non-volatile electrically alterable memory with write control.
Nicht-flüchtiger elektrisch veränderbarer Speicher mit Schreibsteuerung.
Multimodal remote control device having electrically alterable keypad designations.
Multimode Fernbedienungseinrichtung mit elektrisch steuerbaren Tastaturbezeichnungen.
Nonvolatile electrically alterable memory and method.
Nichtflüchtiger elektrisch programmierbarer Speicher und dessen Herstellungsverfahren.
The printer as in claim 7 or 8, in which said memory device is a nonvolatile and electrically alterable memory.
Drucker nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Speichereinrichtung ein nicht flüchtiger und elektrisch änderbarer Speicher ist.
A machine as claimed in any one of claims 1 to 13, wherein the memory (60) is a non-volatile electrically alterable read-only memory.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Speicher (60) ein elektrisch veränderbarer nicht-flüchtiger Festspeicher ist.
A nonvolatile electrically alterable memory cell according to claim 5 wherein said second silicon dioxide layer is thicker than said first silicon dioxide layer.
Nichtflüchtige, elektrisch änderbare Speicherzelle nach Anspruch 5, wobei die zweite Siliziumdioxidschicht dicker ist als die erste Siliziumdioxidschicht.
An electrically alterable non-volatile memory device.
A card reader/writer as claimed in any preceding claim wherein the memory means includes an electrically alterable programmable read-only memory (436), the reader/writer being reprogrammable by data contained in the data card when the data card is brought in operable contact with the reader/writer.
Kartenlese/Schreibeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Speichereinrichtung einen elektrisch änderbaren, programmierbaren Nurlesespeicher (436) aufweist und die Lese/Schreibeinrichtung durch in der Datenkarte enthaltene Daten neu programmierbar ist, wenn die Datenkarte in betriebsmäßigen Kontakt mit der Lese/Schreibeinrichtung gebracht wird.
Nonvolatile electrically alterable memory.
Nichtflüchtiger elektrisch änderbarer Speicher.
A nonvolatile electrically alterable memory cell according to claim 1 or claim 7 wherein the boundaries of said second substrate region (16) are aligned with the boundaries of said first portion (20) of said first polysilicon layer.
Nichtflüchtige, elektrisch änderbare Speicherzelle nach Anspruch 1 oder 7, wobei die Grenzen des zweiten Substratbereichs (16) mit den Grenzen des ersten Teils (20) der ersten Polysiliziumschicht ausgerichtet sind.
A semiconductor device as claimed in anyone of the preceding claims, wherein the programable read only memory (2) comprises erasable programable read only memory cells, electrically alterable read only memory cells, or fusible read only memory cells.
Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der programmierbare Festwertspeicher (2) löschbare programmierbare Festwertspeicherzellen, elektrisch veränderbare Festwertspeicherzellen oder schmelzprogrammierbare Festwertspeicherzellen umfaßt.
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