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elektrisch veränderbare
elektrisch steuerbaren
A semiconductor device as claimed in anyone of the preceding claims, wherein the programable read only memory (2) comprises erasable programable read only memory cells, electrically alterable read only memory cells, or fusible read only memory cells.
Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der programmierbare Festwertspeicher (2) löschbare programmierbare Festwertspeicherzellen, elektrisch veränderbare Festwertspeicherzellen oder schmelzprogrammierbare Festwertspeicherzellen umfaßt.
Electrically alterable read-only storage cell and method of operating same.
Elektrisch veränderbare Festwertspeicherzelle und Verfahren zum Betrieb einer solchen Zelle.
Interferometer including stationary, electrically alterable, optical masking device.
Interferometer mit einer ortsfesten, elektrisch steuerbaren, optischen Maskenvorrichtung.
Multimodal remote control device having electrically alterable keypad designations.
Multimode Fernbedienungseinrichtung mit elektrisch steuerbaren Tastaturbezeichnungen.
Elektrisch veränderbare nichtflüchtige Speichereinrichtung mit schwebendem Tor.
Electrically alterable, nonvolatile, floating gate type memory device with reduced tunnelling area and fabrication thereof.
Elektrisch veränderbare, nichtflüchtige Speicheranordnung vom schwebenden Gate-Typ, mit geringerer Tunneleffektfläche und Herstellung derselben.
SINGLE TRANSISTOR NON-VOLATILE ELECTRICALLY ALTERABLE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH A RE-CRYSTALLIZED FLOATING GATE.
NICHTFLÜCHTIGE ELEKTRISCH VERÄNDERBARE EINTRANSISTOR-HALBLEITERSPEICHERANORDNUNG MIT REKRISTALLISIERTEM SCHWEBENDEM GATE.
Method involving testing an electrically alterable microelectronic memory circuit.
Verfahren, das das Testen einer elektrisch änderbaren mikroelektronischen Speicherschaltung einschliesst.
Non-volatile electrically alterable memory with write control.
Nicht-flüchtiger elektrisch veränderbarer Speicher mit Schreibsteuerung.
Nonvolatile electrically alterable memory and method.
Nichtflüchtiger elektrisch programmierbarer Speicher und dessen Herstellungsverfahren.
The printer as in claim 7 or 8, in which said memory device is a nonvolatile and electrically alterable memory.
Drucker nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Speichereinrichtung ein nicht flüchtiger und elektrisch änderbarer Speicher ist.
A machine as claimed in any one of claims 1 to 13, wherein the memory (60) is a non-volatile electrically alterable read-only memory.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Speicher (60) ein elektrisch veränderbarer nicht-flüchtiger Festspeicher ist.
A nonvolatile electrically alterable memory cell according to claim 5 wherein said second silicon dioxide layer is thicker than said first silicon dioxide layer.
Nichtflüchtige, elektrisch änderbare Speicherzelle nach Anspruch 5, wobei die zweite Siliziumdioxidschicht dicker ist als die erste Siliziumdioxidschicht.
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