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electrically programmable semiconductor memory device
Vertaling van "electrically programmable semiconductor memory device" in Duits
Elektrisch programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung
Integrated programming circuitry for an electrically programmable semiconductor memory device with redundancy.
Integrierte Programmierschaltung für eine elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnung mit Redundanz.
An electrically programmable semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that said protect data reading means (117,217) is a protect sense amplifier circuit (117,217) for reading data from said protect memory means (116,216).
Elektrisch programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzdatenleseeinrichtung (117,217) eine Schutzleseverstärkerschaltung (117,217) zum Lesen von Daten aus der Schutzspeichereinrichtung (116,216) ist.
An electrically programmable semiconductor memory device according to claim 1 or 2, characterized in that said memory cell array means (106,206) is divided into memory cell array blocks, each of which is provided with said protect memory means (116,216).
Elektrisch programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherzellenanordnungseinrichtung (106,206) in Speicherzellenanordnungsblöcke unterteilt ist, wovon jeder mit der Schutzspeichereinrichtung (116,216) versehen ist.
An electrically programmable semiconductor memory device according to claim 3, characterized by further comprising block decoder means (218,219) for accessing each of said memory cell array blocks.
Elektrisch programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner eine Blockdekodereinrichtung (218,219) für einen Zugriff auf jeden von den Speicherzellenanordnungsblöcken aufweist.
An electrically programmable semiconductor memory device according to claim 1 or 2, characterized in that said command register circuit means (107,207) contains protect command register circuit means (107w2,107E2,107R) for controlling said protect memory means (116,216).
Elektrisch programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Befehlsregisterschaltungseinrichtung (107,207) eine Schutzbefehlregisterschaltungseinrichtung (107W2,107E2,107R) für die Steuerung der Schutzspeichereinrichtung (116,216) enthält.
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