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The electron source device according to claim 4, wherein the layers with the p-type impurity doped have substantially the same impurity density.
Elektronenquellenvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mit der p-leitenden Verunreinigung dotierten Schichten im wesentlichen dieselbe Verunreinigungsdichte aufweisen.
The electron source device according to any one of claims 1 to 5, wherein an average of the lattice constant of said strained well layer and that of said barrier layers is substantially equal to a lattice constant of said substrate (2).
Elektronenquellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Durchschnitt aus der Gitterkonstante der belasteten Trogschicht und derjenigen der Grenzschichten im wesentlichen gleich einer Gitterkonstante des Substrats (2) ist.
The electron source device according to claim 2, wherein said surface layer (8) is formed of a material having an electron affinity slightly smaller than that of a material of said superlattice structure (6).
Elektronenquellenvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht (8) aus einem Material ausgebildet ist, das eine Elektronenaffinität aufweist, die etwas geringer ist als diejenige eines Materials des Übergitteraufbaus (6).
The device according to Claim 7, wherein said electron source device is integrated into the micro-column by anodic bonding.
Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Elektronenquellenvorrichtung durch Anodic Bonding in die Mikrosäule eingefügt ist.
El-Mul's recent achievement of pilot production for its E-Beam On-a-Chip CNT-based electron source device represents a paradigm shift for the industrial manufacture of electron sources.
Die jüngst erreichte Pilot-Produktionsreife der E-Beam On-a-Chip-Technologie ist für El Mul ein entscheidender Schritt hin zur industriellen Fertigung von CNT-basierten Elektronenstrahlquellen.
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Synoniemen voor electron source device in het Engels