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A current-controlled luminous element array as claimed in claim 1, characterized in that: said adjacent one (N) of said columns is the previous one (N) to said arbitrary one (N+1) in the order of said columns.
Anordnung aus stromgesteuerten Leuchtelementen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die benachbarte Spalte (N) der Spalten die vorherige Spalte (N) zu der beliebigen Spalte (N+1) in der Reihenfolge der Spalten ist.
A current-controlled luminous element array as claimed in claim 1, characterized in that: said current-controlling transistor (Q) comprises an amorphous silicon thin-flim transistor of a reversely staggered type.
Anordnung aus stromgesteuerten Leuchtelementen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Stromsteuerungs-Transistor (Q) einen Dünnfilm-Transistor aus amorphem Silizium in umgekehrt versetzter Bauart aufweist.
A current-controlled luminous element array as claimed in claim 1, characterized in that: said drain electrode (D) of said current-controlling transistor (Q) and said gate electrode (G) thereof have a charge holding capacity (C) connected therebetween.
Anordnung aus stromgesteuerten Leuchtelementen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Drain-Elektrode (D) des Stromsteuerungs-Transistors (Q) und dessen Gate-Elektrode (G) eine zwischen ihnen geschaltete Ladungshaltungs-Kapazität (C) haben.
A current-controlled luminous element array as claimed in claim 1, characterized in that: said luminous element (EL) comprises a charge injection type organic thin-film EL element (52) including at least one organic luminescent layer (52B).
Anordnung aus stromgesteuerten Leuchtelementen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Leuchtelement (EL) ein organisches Ladungsinjektions-Dünnfilmelement EL (52) aufweist, welches mindestens eine organische Leuchtschicht (52B) enthält.
A switching element array as claimed in any one of claims 1 to 3 wherein the first insulating layer (3) is made of Ta 2 O 5.
Schaltelemente-Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die erste Isolierschicht (3) aus Ta 2 O 5 besteht.
A switching element array as claimed in any one of claims 1 to 4 wherein the material of the semiconductor layer (4) is selected from a group II-IV compound, a Zn compound, a Cd compound, and amorphous silicon.
Schaltelemente-Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Material der Halbleiterschicht (4) aus einer II-IV-Verbindung, einer Zn-Verbindung, einer Cd-Verbindung und amorphem Silicium ausgewählt ist.
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