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etching step comprises
Vertaling van "etching step comprises" in Duits
Ätzschritt ein
Ätzschritt umfaßt
Ätzschritt das
A method according to claim 6 wherein the etching step comprises wet etching the semiconductor substrate with a solution comprising potassium hydroxide.
Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der Ätzschritt ein Nassätzen des Halbleitersubstrates mit einer Lösung aufweist, welche Kaliumhydroxid aufweist.
A method of making semiconductor devices according to any of claims 1 to 4, wherein the etching step comprises etching with a solution which includes ammonium hydroxide.
Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Ätzschritt ein Ätzen mit einer Amoniumhydroxid enthaltenden Lösung umfaßt.
The method of claim 1 wherein the etching step comprises providing an etch resistant mask (12) on the first surface (11a, 11b) over the region (11d) of undisturbed substrate material.
Verfahren nach Anspruch 1 , bei dem der Ätzschritt umfaßt: Erzeugen einer ätzresistenten Maske (12) auf der ersten Oberfläche (11a,11b) über dem Bereich (11d) ungestörten Substratmaterials.
The method as claimed in claim 1 or claim 2, wherein said etching step comprises: etching said doped polysilicon region (68) and said thin undoped layer of hemispherical grain polysilicon (70) with a HBr/C12 etch chemistry.
Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der Ätzschritt umfaßt: Ätzen des dotierten Polysilicium-Bereichs (68) und der dünnen, nicht dotierten Schicht (70) aus halbkugelförmigen Polysilicium Körnern mit einer HBr/Cl 2 -Ätzchemie.
A method for removing from a substrate an organic resin layer having inorganic contaminants formed by ion-implantion of the organic resin according to any of claims 9 to 13, wherein the etching step comprises etching with a solution which includes potassium hydroxide.
Verfahren zur Ablösung einer Lage aus organischem Harz von einem Substrat, welche Lage aus organischem Harz durch Ionenimplantation des organischen Harzes gebildete anorganische Verunreinigungen hat, nach einem oder mehreren der Ansprüche 9 bis 13, bei dem der Ätzschritt ein Ätzen mit einer Kaliumhydroxid enthaltenden Lösung umfaßt.
The method of claim 2 wherein said etching step comprises etching through said antireflective coating layer, said BSG layer and said dielectric layers.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Ätzschritt ein Ätzen durch die Antireflex-Überzugschicht, die BSG-Schicht und die dielektrischen Schichten hindurch beinhaltet.
The method as claimed in claim 8, wherein said etching step comprises: forming U-shaped grooves (72) having a depth of 0.1-0.3 microns.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der Ätzschritt umfaßt: Bilden U-förmiger Rillen (72), die eine Tiefe von 0,1-0,3 Mikrometer besitzen.
A method for making a magnetoresistive read transducer as claimed in claim 6 wherein said etching step comprises the use of a directional etching method.
Ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Lesewandlers nach Anspruch 6, bei dem der genannte Ätzschritt die Verwendung einer Richtungsätzmethode umfaßt.
The method of claim 2 wherein said etching step comprises etching said metallic structure with said surfaces in a ferric chloride acid etching solution.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Ätzschritt das Ätzen der Oberflächen der metallischen Struktur in einer Säureätzlösung aus Eisenchlorid umfaßt.
A technique according to claim 1 and wherein said etching step comprises simultaneous etching of all desired locations on at least said first metal layer (410,412).
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Ätzschritt das gleichzeitige Ätzen aller gewünschten Stellen wenigstens an der ersten Metallschicht (410,412) umfaßt.
The method of any one of claims 1 to 11, characterised in that etching step comprises etching with a chemical etch capable of attacking silicon.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Ätzens das Ätzen mit einem chemischen Ätzmittel beinhaltet, das in der Lage ist, Silizium anzugreifen.
A technique according to claim 1 or claim 2 and wherein said etching step comprises the step of simultaneously etching said first and second metal layers (410,412) to customize said integrated circuit blank.
Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei welchem der Ätzschritt den Schritt des gleichzeitigen Ätzens der ersten und der zweiten Metallschicht (410,412) zur kundenspezifischen Ausgestaltung des Rohlings der integrierten Schaltung umfaßt.
A method as claimed in claim 1 wherein the cleaning or etching step comprises a bright-etch treatment.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Reinigungsoder der Ätzschritt eine Glanzätzbehandlung beinhaltet.
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Synoniemen voor etching step comprises in het Engels
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