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Feldisolierschicht
A capacitor according to claim 1 or 2, wherein said first portion (26) of said body (22) is delimited by said field insulating layer (23) along said first edge (24a) of said first active area (24).
Kondensator nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der erste Teil (26) des Körpers (22) von der Feldisolierschicht (23) entlang des ersten Rands (24a) des ersten aktiven Bereichs (24) begrenzt wird.
The memory device as claimed in claim 37, wherein a field insulating layer (103) is further formed on the surface of said substrate (92) surrounding said first and second gate insulating layer (98, 99).
Speicher nach Anspruch 37, bei dem ferner auf der Oberfläche des Substrats (92) eine die erste und zweite Gateisolierschicht (98, 99) umgebende Feldisolierschicht (103) ausgebildet ist.
The memory device as claimed in claim 40, wherein a part of said floating gate (96) extends to the surface of said field insulating layer (103).
Speicher nach Anspruch 40, bei dem sich ein Teil des potenzialungebundenen Gates (96) bis zur Oberfläche der Feldisolierschicht (103) erstreckt.
The memory device as claimed in claim 13, further comprising a field insulating layer (55) formed on a surface of said substrate (50) surrounding said channel region.
Speicher nach Anspruch 13, ferner mit einer Feldisolierschicht (55), die auf einer den Kanalbereich umgebenden Oberfläche des Substrats (50) ausgebildet ist.
An EPROM according to claim 1, wherein said semiconductor substrate (1) is a silicon single crystalline substrate, and said field insulating layer (2), gate insulating layer (8) and first interlaminar insulating layer (4) are SiO₂ layers.
EPROM nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem Halbleitersubstrat (1) um ein einkristallines Siliziumssubstrat handelt und es sich bei der Feldisolierschicht (2), der Gateisolierschicht (8) und der ersten interlaminaren Isolierschicht (4) um SiO₂-Schichten handelt.
An EPROM according to claim 1, wherein a depth of said trench insulating layer (21) extending into said semiconductor substrate (1) from said field insulating layer (2) is not less than a thickness of said field insulating layer (2).
EPROM nach Anspruch 1, wobei eine sich von der Feldisolierschicht (2) in das Halbleitersubstrat (1) hineinerstreckende Tiefe der Grabenisolierschicht (21) nicht geringer ist als eine Dicke der Feldisolierschicht (2).
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