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Feldeffektanordnung
Hetero-Übergangs-Feldeffektvorrichtung
A field-effect device as claimed in claim 1, wherein said superconductor material forming said channel (21) has a correlation length of less than 0,5 nm along the crystallographic c-axis.
Feldeffektanordnung nach Anspruch 1, bei welcher das den Kanal (21) bildende supraleitende Material entlang der kristallographischen c-Achse eine Korrelationslänge von weniger als 0,5 nm aufweist.
A field-effect device as claimed in claim 1, wherein said superconductor material forming said channel (21) has a transition temperature T c that is higher than the temperature of liquid nitrogen.
Feldeffektanordnung nach Anspruch 1, bei welcher das den Kanal (21) bildende supraleitende Material eine Sprungtemperatur T c aufweist, die höher als die Temperatur von flüssigem Stickstoff ist.
A field-effect device as claimed in claim 1, wherein said insulating layer (24) has a thickness that is sufficient to avoid tunnel currents through the insulating layer.
Feldeffektanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die Isolationsschicht (24) eine ausreichende Dicke aufweist, um Tunnel ströme durch die Isolationsschicht zu vermeiden.
A field-effect device with a superconducting channel.
Feldeffektanordnung mit supraleitendem Kanal.
A field-effect device as claimed in claim 1, wherein the magnitude of the control signal that is required to cause complete carrier depletion in the entire cross-section of the channel zone under the gate, is in the order of a few Volt.
Feldeffektanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die Größenordnung des erforderlichen Steuersignals zum Bewirken einer vollständigen Ladungsträgerverarmung im gesamten Querschnitt der Kanalzone unter dem Gate einige Volt beträgt.
A field-effect device as claimed in claim 1, wherein said channel (21) is single crystalline and oriented so that the superconducting behavior is strongest in the plane parallel to the substrate surface.
Feldeffektanordhung nach Anspruch 1, bei der der Kanal (21) mono-kristallin und so ausgerichtet ist, daß das supraleitende Verhalten in der Parallelebene zur Oberfläche am stärksten ist.
VACUUM FIELD-EFFECT DEVICE AND FABRICATION PROCESS THEREFOR
A FIELD-EFFECT DEVICE FOR THE DETECTION OF SMALL QUANTITIES OF ELECTRIC CHARGE, SUCH AS THOSE GENERATED IN BIO-MOLECULAR PROCESSES, BOUND IN THE VICINITY OF THE SURFACE
FELDEFFEKTVORRICHTUNG ZUM NACHWEIS KLEINER, WIE ETWA IN BIOMOLEKULAREN PROZESSEN ERZEUGTER, IN OBERFLÄCHENNÄHE GEBUNDENER ELEKTRISCHER LADUNGSMENGEN
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