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ersten Bitleitungen
An array according to the any of the preceding claims, characterized in that said first bit lines (2) define source lines and said second bit lines (3) define drain lines.
Array nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Bitleitungen (2) Source-Leitungen bilden und die zweiten Bitleitungen (3) Drain-Leitungen bilden.
A semiconductor memory device according to claim 6 or 7, characterized in that said first bit lines (17) and said second bit lines (26) are layers formed from a third conductive layer.
Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet , daß die ersten Bitleitungen (17) und die zweiten Bitleitungen (26) aus einer dritten leitfähigen Schicht hergestellte Schichten sind.
A semiconductor read only memory according to claim 1, wherein said first bit lines (SB 1, SB 2...) are made by diffusion layers, and said second bit lines are metal lines.
Halbleiter-Festwertspeicher nach Anspruch 1, bei dem die ersten Bitleitungen (SB 1 , SB 2...) aus Diffusionsschichten bestehen und die zweiten Bitleitungen Metallleitungen sind.
The ferroelectric random access memory device as set forth in claim 7, in which said short-circuit cell detecting means includes dummy bit lines (BLTx/ BLNx to BLTy/ BLNy) selectively connected to said first bit lines and said second bit lines.
Ferroelektrische Freizugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 7, wobei das Kurzdauerzellen-Erfassungsmittel Pseudobitleitungen (BLTx/BLNx bis BLTy/BLNy) aufweist, die selektiv mit den ersten Bitleitungen und den zweiten Bitleitungen verbunden sind.
A semiconductor read only memory comprising: a plurality of first bit lines (SB, SB...) disposed in parallel; a plurality of groups (M...
Halbleiter-Festwertspeicher mit: einer Vielzahl erster Bitleitungen (SB , SB...), die parallel angeordnet sind; einer Vielzahl von Gruppen (M...
A memory as claimed in claim 10, wherein each pair of first bit lines and pair of second bit lines (DL3*, DL4*, DL3*, DL4*) connected to corresponding said third memory cells transfer the same data bit.
Speicher nach Anspruch 10, wobei jedes erste Bitleitungspaar und jedes zweite Bitleitungspaar (DL3*, DL4*, DL3* , DL4*), die mit den entsprechenden, dritten Speicherzellen verbunden sind, das gleiche Datenbit übertragen.
A memory as claimed in claim 3, wherein each of said third memory cells is connected to both a pair of first bit lines and the pair of second bit lines (DL3*, DL4*, DL3*, DL4*).
Speicher nach Anspruch 3, wobei jede der dritten Speicherzellen sowohl mit einem ersten Bitleitungspaar als auch dem zweiten Bitleitungspaar (DL3*, DL4*, DL3 , DL4 ) verbunden ist.
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