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first conductivity type

Vertaling van "first conductivity type" in Duits

ersten Leitfähigkeitstyps ersten Leitfähigkeitstyp ersten Leitungstyps ersten Leitungstyp

erste Leitfähigkeitstyp

ersten Leitfähigkeitsart

erste Leitungstyp

Furthermore, it is preferred that the dopants of the first conductivity type are implanted.

Weiterhin ist es bevorzugt, wenn die Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps implantiert werden.

A field effect transistor according to any one of the preceding claims, wherein said gate electrode includes a polycrystalline silicon layer of said first conductivity type.

Feldeffekttransistor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Gateelektrode eine polykristalline Siliciumschicht des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist.

The second conductivity type is opposite to the first conductivity type.

Der zweite Leitfähigkeitstyp ist dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt.

A bipolar transistor as claimed in any preceding claim wherein the second column is of the first conductivity type and forms a contact to the buried layer.

Bipolarer Transistor nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin die zweite Säule aus dem ersten Leitfähigkeitstyp besteht und einen Kontakt zur vergrabenen Schicht bildet.

The invention relates to an optoelectronic semiconductor component comprising a radiation-emitting active series of layers to which at least one poorly dopable semiconductor layer of a first conductivity type is assigned.

Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer strahlungsemittierenden aktiven Schichtenfolge, der mindestens eine schlecht dotierbare Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps zugeordnet ist.

The memory device of claim 1, characterized in that it further comprises a substrate of semiconductor material of a first conductivity type.

Das Speicherbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass es weiterhin ein Substrat aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitungstyps umfasst.

A semiconductor structure according to any one of the preceding claims, further comprising a deep well of the first conductivity type which electrically connects the first region and the buried layer.

Halbleiterstruktur nach einem der vorherigen Ansprüche, ferner umfassend eine tiefe Mulde des ersten Leitfähigkeitstyps, die die erste Zone elektrisch mit der vergrabenen Schicht verbindet.

The field effect transistor according to claim 7, wherein said impurities of said first conductivity type are boron.

Feldeffekttransistor gemäß Anspruch 7, bei dem die Verunreinigungen des ersten Leitfähigkeitstyps Bor sind.

A method as claimed in claim 1 including the step of attaching electrodes to the first conductivity type portion of the islands.

Verfahren nach Anspruch 1, wobei an den Bereichen der Inseln mit dem ersten Leitfähigkeitstyp Elektroden befestigt werden.

The structure of any one of the preceding claims, wherein said semiconductor material of a first conductivity type is an epitaxial layer formed on the surface of a semiconductor substrate, said semiconductor substrate having a second conductivity type.

Struktur nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das genannte Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps eine auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats ausgebildete epitaxiale Schicht ist, wobei das genannte Halbleitersubstrat von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist.

The semiconductor laser device according to claim 15, wherein said current blocking layer comprises at least a layer of said first conductivity type.

Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 15, worin die Stromblockierungsschicht zumindest eine Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst.

The method of claim 1, further comprising: forming a subcollector region of said first conductivity type underlying said bipolar region.

Verfahren nach Anspruch 1, ferner enthaltend: Bilden einer Subkollektor-Zone des ersten Leitungstyps unterhalb der bipolaren Zone.

The high breakdown voltage semiconductor device according to claim 1, characterized in that said drain region (5) is of the first conductivity type.

Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Drainbereich (5) vom ersten Leitfähigkeitstyp ist.