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first etching step
Vertaling van "first etching step" in Duits
ersten Ätzschritt
erste Ätzschritt
A dry etching method according to claim 1, characterised in that in the first etching step, the third gas added to the etching gas in an amount of up to 10 volume% of the whole amount of the etching gas.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem ersten Ätzschritt das dritte Gas dem Ätzgas in einer Menge von bis zu 10 Vol.-% der Gesamtmenge an Ätzgas hinzugefügt wird.
A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the selectivity of the etch rate of the first etching step is 10 or more, and wherein the selectivity ratio of the etch rate of the second etching step is about 1 to 2.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Trennschärfe der Ätzrate beim ersten Ätzschritt 10 oder mehr ist, und wobei das Trennschärfeverhältnis der Ätzrate des zweiten Ätzschrittes ungefähr 1:2 beträgt.
A method according to claim 1, wherein the first etching step includes the step of exposing said polysilicon film to a medium containing phosphoric acid.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Ätzschritt den Schritt Aussetzen des Polysiliziumfilms einem Medium, welches eine Phosphorsäure enthält, aufweist.
The process for producing a semiconductor device substrate according to claim 19 or 20, wherein said solid-phase epitaxial growth is conducted before said first Si substrate member is removed by selective etching as said first etching step.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 19 oder Anspruch 20, in dem die Festphasenepitaxie erfolgt, bevor das erste Si-Substratelement durch selektives Ätzen als der erste Ätzschritt entfernt wird.
Method according to Claim 3, in which an etching process with two etching steps is carried out in order to produce the trench (3), anisotropic etching being carried out in a first etching step and isotropic etching being carried out in a second etching step.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem zur Erzeugung des Grabens (3) ein Ätzprozeß mit zwei Ätzschritten durchgeführt wird, wobei in einem ersten Ätzschritt anisotrop geätzt wird und in einem zweiten Ätzschritt isotrop geätzt wird.
Method according to Claim 4, in which an anisotropic plasma etching process is carried out in the first etching step and an isotropic plasma etching process or isotropic wet etching is carried out in the second etching step.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem im ersten Ätzschritt ein anisotropes Plasmaätzverfahren und im zweiten Ätzschritt ein isotropes Plasmaätzverfahren oder eine isotrope Naßätzung durchgeführt werden.
Method according to Claim 9, characterised in that the first etching step is carried out in a wet-chemical manner and the second etching step is carried out by reactive ion etching (dry etching).
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Ätzschritt naßchemisch und der zweite Ätzschritt durch reaktives Ionenätzen (Trockenätzen) durchgeführt wird.
Process according to Claim 5 to 7, characterized in that, in the first etching step, there is used an alkaline etch with ammonium hydroxide and hydrogen superoxide.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß beim ersten Ätzschritt eine alkalische Ätze mit Ammoniumhydroxyd und Wasserstoffsuperoxyd verwendet wird.
An etching method as set forth in claim 7, characterized in that grooves are also formed in at least one of said other zones during the first etching step.
Ätzverfahren gemäss Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass während des ersten Ätzschrittes Furchen ebenfalls in zumindest einer der benannten anderen Zonen gebildet werden.
A method as recited in claim 1, further comprising conducting rinsing of the surface of said thin metal plate with water after said first etching step.
Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin das Durchführen des Spülens der Oberfläche der dünnen Metallplatte mit Wasser nach dem ersten Ätzschritt umfaßt.
The method is carried out with only two consecutive etching steps, an etching mask (10) only being required in the first etching step.
Das Verfahren wird mit nur zwei aufeinanderfolgenden Ätzschritten durchgeführt, bei dem nur im ersten Ätzschritt eine Ätzmaske (10) benötigt wird.
In the first etching step, at least one passive electronic component (31) is additionally produced by structuring a part of the surface layer (23). During the following undercutting of the surface layer (23) said electronic component is also undercut.
Dabei wird in dem ersten Ätzverfahren aus der Oberflächenschicht (23) bereichsweise zusätzlich mindestens ein passives elektronisches Bauteil (31) herausstrukturiert, das beim nachfolgenden Unterätzen der Oberflächenschicht (23) ebenfalls unterätzt wird.
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Synoniemen voor first etching step in het Engels
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