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first masking layer
Vertaling van "first masking layer" in Duits
erste Maskierungsschicht
ersten Maskenschicht
ersten Maskierungsschicht
A method according to claim 3 wherein said first masking layer comprises one of a photoresist and a glass.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei die erste Maskierungsschicht aus Fotoresist oder einem Glas besteht.
The method of claim 2, wherein the first masking layer (14) is silicon dioxide.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die erste Maskierungsschicht (14) Siliziumdioxid ist.
A method as claimed in any one of claims 1 to 4, wherein etching the gate material (112) includes applying an anisotropic etch through openings in the first masking layer (114).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei Ätzen des Gatematerials (112) Anwenden eines anisotropen Ätzens durch Öffnungen in der ersten Maskenschicht (114) umfasst.
Method according to claim 1, characterized in that said first masking layer (2) is a thermally grown silicon oxide layer, and in that said second masking layer (3) is a deposited polycrystalline silicon.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Maskierungsschicht (2) eine thermisch gewachsene Siliciumoxydschicht ist und daß die zweite Maskierungsschicht (3) ein aufgebrachtes polykristallines Silicium ist.
A method according to claim 4 including partially removing said first masking layer for exposing said fourth layer by a reactive ion etching process.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die erste Maskierungsschicht teilweise entfernt wird, um die vierte Schicht freizulegen, und zwar durch einen reaktiven Ionenätzvorgang.
A method according to claim 5 wherein said first masking layer comprises said photoresist and said fourth layer comprises silicon dioxide, and including monitoring the plasma used in said reactive ion etching process and stopping said process when silicon dioxide is detected in said plasma.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Maskierungsschicht den Fotoresist umfasst und die vierte Schicht Siliziumdioxid umfasst, und bei dem das bei dem reaktiven Ionenätzvorgang verwendete Plasma überwacht und der Vorgang gestoppt wird, wenn Siliziumdioxid in dem Plasma erkannt wird.
A method according to claim 2 wherein said first structure extends upwardly from said adjacent substrate surface portions, and including providing said first masking layer initially as a fluid in a spin-on process for providing said first layer with said different thickness portions.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei sich die erste Struktur von den danebenliegenden Substratoberflächenteilen nach oben erstreckt, und bei dem die erste Maskierungsschicht anfänglich als ein Fluid in einem Aufschleudervorgang bereitgestellt wird, um die erste Schicht mit den verschieden dicken Teilen bereitzustellen.
Method according to claim 4, characterized in that the step of forming said first masking layer (21) comprises oxidating said substrate (20) to obtain an oxide layer with thickness comprised between 10 and 50 nm (100 and 500 Å).
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Ausbildung der ersten Maskierungsschicht (21) eine Oxidation des Substrates (20) umfaßt, um eine Oxydschicht mit einer Dicke zwischen 10 und 50 nm (100 und 500 Å) zu erhalten.
A process in accordance with Claim 1 and 2, characterised in that said second masking layer (32) has an etch property that is different from the etch property of said first masking layer (31).
Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Maskierschicht (32) eine Ätzeigenschaft aufweist, die von der Ätzeigenschaft der ersten Maskierschicht (31) verschieden ist.
A method according to claim 10 wherein said first and second masking layers are photoresist materials, and, prior to covering said first masking layer with said second masking layer, heating said first masking layer for hardening it.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die erste und die zweite Maskierungsschicht Fotoresistmaterialien sind und vor dem Bedecken der ersten Maskierungsschicht mit der zweiten Maskierungsschicht die erste Maskierungsschicht erhitzt wird, um diese zu härten.
The method of claim 13 wherein said first masking layer (130) comprises a photoresist and wherein the step of depositing a first masking layer further comprises the step of desensitizing said first masking layer so that said second masking layer can be added.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die erste Maskenschicht (130) einen Photoresistfilm umfaßt, und wobei der Schritt des Abscheidens einer ersten Maskenschicht weiterhin einen Schritt zum Desensibilisieren der ersten Maskenschicht umfaßt, so daß die zweite Maskenschicht hinzugefügt werden kann.
A method according to Claim 2, which comprises providing the first masking layer so that the second mask window defines a grid-like aperture bounded by islands (6c) of the first masking layer within which the first mask windows are formed.
Verfahren nach Anspruch 2, wonach die erste Maskierungsschicht so vorgesehen wird, dass das zweite Maskenfenster eine gitterartige Öffnung definiert, welche durch Inseln (6c) der ersten Maskierungsschicht, innerhalb welcher die ersten Maskenfenster ausgebildet sind, abgegrenzt ist.
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Synoniemen voor first masking layer in het Engels
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