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flash memory according
Vertaling van "flash memory according" in Duits
Flash-Speicher nach
Flashspeicher nach
A flash memory according to any preceding claim, wherein the gates of said first and second transistors are each connected to receive said decoding-unit output signal.
Flash-Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem die Gates der ersten und zweiten Transistoren jeweils angeschlossen sind, um das Decodiereinheit-Ausgangssignal zu empfangen.
A flash memory according to any preceding claim wherein the array is divided into a plurality of memory blocks, and wherein the second voltage source supplies the second voltage to the conductive plate, in response to a control signal which selects one of the memory blocks.
Flash-Speicher nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, wobei das Feld in eine Mehrzahl von Speicherblöcken unterteilt ist und wobei die zweite Spannungsquelle der leitfähigen Platte die zweite Spannung in Reaktion auf ein Steuersignal zuführt, das einen der Speicherblöcke auswählt.
A flash memory according to claim 14, wherein said first logic level is high and said second logic level is low.
Flash-Speicher nach Anspruch 14, bei welchem der erste Logikpegel hoch ist, und der zweite Logikpegel niedrig ist.
A flash memory according to claim 13, 14 or 15, wherein said drive unit power switching circuit (278) comprises two level change circuits (371,372).
Flash-Speicher nach Anspruch 13, 14 oder 15, bei welchem der Treibeinheit-Energieschaltungskreis (278) zwei Pegeländerungsschaltungen (371,372) umfasst.
The flash memory according to any one of claims 1 or 2, characterized in that the plurality of flash memory cells are connected in series to configure a NAND type flash memory.
Der Flash-Speicher nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vielzahl der Flash-Speicher-Zellen seriell miteinander verbunden sind, um einen Flash-Speicher vom NAND Typ zu konfigurieren.
The flash memory according to claim 1, characterized by further comprising a busy signal output circuit (3) arranged to output a busy signal (nBUSY) to an external device.
Der Flash-Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieser ferner ein Besetztsignal-Ausgabeschaltkreis (3) umfasst, der angeordnet ist zum Ausgeben eines Besetztsignals (nBUSY) an eine externe Vorrichtung.
As explained above, a flash memory according to the fifth aspect of the present invention correctly reads data of "0" or "1" even if some memory cells have been overerased during a wafer process or through repetitive write and read operations.
In normalen Verriegelungs- und Flipflopschaltungen gibt es zwei Zustände eines Speicherknotens pro Bit gemäß den logischen Pegeln von "0" und "1" der darin gehaltenen Daten, und eine herkömmliche hierarchische Stromversorgungskonfiguration (eine Aus-Leckstromverringerungsschaltung) ist nicht anwendbar.
A flash memory according to any of the preceding Claims, wherein the address stored in the first redundancy circuit is accessed for a read operation to the defective memory cell in the memory and is not accessed for write operation to the defective memory cell.
Flashspeicher nach irgendeinem der vorherigen Ansprüche, wobei auf die in der ersten Redundanzschaltung gespeicherte Adresse für einen Lesevorgang der defekten Speicherzelle im Speicher zugegriffen wird und auf diese beim Schreibvorgang in die defekte Speicherzelle nicht zugegriffen wird.
A flash memory according to any of the preceding Claims, wherein the read repair information and the write repair information comprise identical information.
Flashspeicher nach irgendeinem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lesereparaturinformationen und die Schreibreparaturinformationen identische Informationen enthalten.
The flash memory according to claim 1 or claim 2, further comprising a busy signal output circuit, which outputs a busy signal (nBUSY) to the external device according to the write instruction signal (PRO).
Der Flashspeicher nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, weiter mit einer Belegtsignalausgabeschaltung, die ein Belegtsignal (nBUSY) an die externe Vorrichtung in Übereinstimmung mit dem Schreibanweisungssignal (PRO) ausgibt.
Use Flash Memory according to the terms of agreement.
Verwenden Sie den USB-Speicher entsprechend den Nutzungsbedingungen.
Measurement data may be logged with precise time stamp in non volatile Flash memory according to configured schedule or on event.
Die Messdaten können mit einem präzisen Zeitstempel im nichtflüchtigen Flash- Speicher nach konfiguriertem Zeitplan oder bei Ereignis aufgezeichnet werden.
Use Flash memory according to the terms of agreement. Read the Flash memory Owner's Manual thoroughly. Avoid usage or storage in the following locations: Anywhere in the car exposed to direct sunlight or high temperatures.
Lesen Sie bitte die Bedienungsanleitung zum USB-Speicher genau durch. Benutzen und lagern Sie die Geräte nicht an Stellen, an denen sie folgenden Bedingungen ausgesetzt sind: Direkter Sonneneinstrahlung oder hohen Temperaturen im Fahrzeug.
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Synoniemen voor flash memory according in het Engels
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