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Flash-Speicherzelle
Flash-Speicherzellenmatrix
Referenz-Flash-Speicherzelle
Flash Speicherzelle
The memory system of claim 1 wherein the memory cells are flash memory cells and the data storage units includes a flash memory cell (200) for storing the control parameter data.
Speichersystem nach Anspruch 1, wobei die Speicherzellen Flash-Speicherzellen darstellen und die Datenspeichereinheiten eine Flash-Speicherzelle (200) zum Speichern der Steuerparameterdaten aufweisen.
The flash memory cell of claim 10, wherein each floating gate comprises a number of crystals (18) of silicon.
Flash-Speicherzelle nach Anspruch 10, wobei die Floating-Gates jeweils eine Anzahl Silicium-Kristallkörner (18) beinhalten.
The flash memory cell of claim 10, wherein the first and second floating gates comprises layers of conductive material formed in gate oxides of the reference and storage transistors for creating measurable step changes in drain current in the transistors as charge is deposited on the floating gates.
Flash-Speicherzelle nach Anspruch 10, wobei das erste und das zweite Floating-Gate in Gate-Oxiden des Bezugs- und des Speichertransistors ausgebildete Schichten leitfähigen Materials beinhalten, um in den Transistoren meßbare schrittweise Änderungen des Drain-Stroms zu bewirken, wenn auf die Floating-Gates Ladung aufgebracht wird.
The multiple bank memory device of claim 1, wherein the combined memory array includes a plurality of memory cells and wherein each of the memory cells is a flash memory cell formed from a plurality of transistors.
Mehrbank-Speicherschaltungen nach Anspruch 1, wobei das zusammengesetzte Speicherfeld mehrere Speicherzellen umfasst, und wobei jede der Speicherzellen eine Flash-Speicherzelle ist, die mit mehreren Transistoren gebildet ist.
The flash memory cell of claim 10, wherein the first and second floating gates comprise crystals of silicon disposed in gate oxides of the reference and storage transistors.
Flash-Speicherzelle nach Anspruch 10, wobei das erste und das zweite Floating-Gate in Gate-Oxiden des Bezugs- und des Speichertransistors angeordnete Silicium-Kristalle beinhalten.
The method of claim 1 or claim 2, wherein the first program pulse and program retry pulses are generated by supplying a negative voltage to the control gate and a variable voltage to the drain, such that Fowler-Nordheim tunneling is induced to discharge the flash memory cell.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Programmierimpuls und die Programmierwiederholungsimpulse erzeugt werden durch Anlegen einer negativen Spannung an dem Steuergate und einer variablen Spannung an der Drain, so daß ein Fowler-Nordheim-Tunneln induziert wird, um die Flash-Speicherzelle zu entladen.
The flash memory cell of Claim 1 wherein said erasing includes Fowler-Nordheim tunneling.
Flash-Speicherzelle nach Anspruch 1, bei der das Löschen Fowler-Nordheim-Tunneln umfaßt.
Flash memory cell, electronic device comprising such a cell, and relative fabrication method
Flash-Speicherzelle, elektronische Vorrichtung mit einer solchen Zelle und Herstellungsverfahren
FLASH MEMORY CELL HAVING A FLEXIBLE ELEMENT
FLASH-SPEICHERZELLE MIT EINEM BIEGSAMEN ELEMENT
DIFFERENTIAL FLASH MEMORY CELL AND METHOD
DIFFERENTIELLE FLASH-SPEICHERZELLE UND BETRIEBSVERFAHREN DAFÜR
FLASH MEMORY CELL WITH SELF-ALIGNED GATES AND FABRICATION PROCESS
FLASH-SPEICHERZELLE MIT SELBST-JUSTIERTEN TOREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
FLASH MEMORY CELL HAVING BURIED FLOATING GATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
FLASH-SPEICHERZELLE MIT VERGRABENER FLOATING-GATE-STRUKTUR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
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